[发明专利]非易失静态随机存取存储器电路有效
申请号: | 201410647788.5 | 申请日: | 2014-11-13 |
公开(公告)号: | CN105590647B | 公开(公告)日: | 2020-02-28 |
发明(设计)人: | 金宁泰;谢明辉 | 申请(专利权)人: | 华邦电子股份有限公司 |
主分类号: | G11C16/06 | 分类号: | G11C16/06 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 汤在彦 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 非易失 静态 随机存取存储器 电路 | ||
本发明提供一种非易失静态随机存取存储器电路,其包括第一与第二开关以及栓锁电路。第一开关具有耦接第一位线的第一端且具有第二端。第二开关具有耦接第二位线的第一端且具有第二端。栓锁电路耦接第一开关的第二端以及第二开关的第二端,且具有第一非易失存储元件。当非易失静态随机存取存储器电路处于写入模式时,在第一位线上的第一数据写入至栓锁电路,且第一非易失存储单元具有对应第一数据的第一状态。当非易失静态随机存取存储器电路处于读取模式时,第一读出数据根据第一非易失存储单元的第一状态而产生且提供至第一位线。本发明实施例,通过非易失存储元件的阻抗状态的行程将位线上的数据记录在栓锁电路,不需要现有的传统模式。
技术领域
本发明是有关于一种非易失静态随机存取存储器电路,特别是有关于一种不具有存取模式以及召回模式的非易失静态随机存取存储器电路。
背景技术
半导体存储器装置广泛地使用在电脑或其他电子产品,以存储数字信息。一般的半导体存储器装置具有大量的存储元件,已知例如有存储胞,这些存储元件能存储单一数字位或数据位。在各种半导体存储器装置中,非易失静态随机存取存储器具有较高的存取速度。此外,当非易失静态随机存取存储器的电源供应关闭时,预先存储的数据不会遗失。因此,在电源关闭状态或待机模式下,非易失静态随机存取存储器的电源供应可以完全地切断,而不需担心数据存储的问题,借此可减少功率消耗。
一般而言,在传统的非易失静态随机存取存储器进入电源关闭状态或待机模式之前,非易失静态随机存取存储器必须操作在存储模式,以将数据由栓锁器存储至非易失存储元件。在非易失静态随机存取存储器的电源供应开启之后,非易失静态随机存取存储器则必须操作在召回模式,以将数据由非易失存储元件召回至栓锁器。然而,上述的存储模式以及召回模式的发生却导致额外的时序。
发明内容
因此,本发明提供一种非易失静态随机存取存储器,当其处于电源关闭状态或待机模式时不需要操作在存储模式或召回模式。
本发明提供一种非易失静态随机存取存储器电路,其包括第一开关、第二开关、以及栓锁电路。第一开关具有耦接第一位线的第一端且还具有第二端。第二开关具有耦接第二位线的第一端且还具有第二端。栓锁电路耦接第一开关的第二端以及第二开关的第二端,且具有第一非易失存储元件。当非易失静态随机存取存储器电路处于写入模式时,在第一位线上的第一数据写入至栓锁电路,且第一非易失存储元件具有对应第一数据的第一状态。当非易失静态随机存取存储器电路处于读取模式时,第一读出数据根据第一非易失存储元件的第一状态而产生且提供至第一位线。
在写入模式下,第一开关以及第二开关导通。在读取模式下,第一开关以及第二开关导通。在另一实施例中,在写入模式与该读取模式之间,没有供应电压对非易失静态随机存取存储器电路供电,或者非易失静态随机存取存储器电路处于待机模式。
非易失静态随机存取存储器电路还包括写入控制电路。此写入控制电路耦接栓锁电路,且接收写入选择信号来控制栓锁电路。在写入模式下,写入选择信号处于第一电压电平,以控制栓锁电路来改变第一非易失存储元件使其处于第一状态。在读取模式下,写入选择信号处于第二电压电平,以控制栓锁电路来根据第一状态产生第一读出信号。
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