[发明专利]非易失静态随机存取存储器电路有效
申请号: | 201410647788.5 | 申请日: | 2014-11-13 |
公开(公告)号: | CN105590647B | 公开(公告)日: | 2020-02-28 |
发明(设计)人: | 金宁泰;谢明辉 | 申请(专利权)人: | 华邦电子股份有限公司 |
主分类号: | G11C16/06 | 分类号: | G11C16/06 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 汤在彦 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 非易失 静态 随机存取存储器 电路 | ||
1.一种非易失静态随机存取存储器电路,其特征在于,包括:
一第一开关,具有耦接一第一位线的一第一端且还具有一第二端;
一第二开关,具有耦接一第二位线的一第一端且还具有一第二端;
一控制电路,接收一写入选择信号或者一电源限制信号;
一栓锁电路,耦接该第一开关的该第二端以及该第二开关的该第二端,耦接该控制电路,接收该写入选择信号,且具有一第一非易失存储元件;
其中,当该非易失静态随机存取存储器电路处于一写入模式时,在该第一位线上的一第一数据写入至该栓锁电路,且该第一非易失存储元件具有对应该第一数据的一第一状态;
其中,当该非易失静态随机存取存储器电路处于一读取模式时,一第一读出数据根据该第一非易失存储元件的该第一状态而产生且提供至该第一位线;
其中,在该写入模式下,该写入选择信号处于一第一电压电平,以控制该栓锁电路来改变该第一非易失存储元件使其处于该第一状态;以及
其中,在该读取模式下,该写入选择信号处于一第二电压电平,以控制该栓锁电路来根据该第一状态产生该第一读出数据。
2.如权利要求1所述的非易失静态随机存取存储器电路,其特征在于,在该写入及读取模式下,该第一开关以及该第二开关导通。
3.如权利要求1所述的非易失静态随机存取存储器电路,其特征在于,在该写入模式与该读取模式之间,没有供应电压对该非易失静态随机存取存储器电路供电,或者该非易失静态随机存取存储器电路处于一待机模式。
4.如权利要求1所述的非易失静态随机存取存储器电路,其特征在于,该栓锁电路包括:
一第一第一型晶体管,具有耦接一第一节点的一控制端、一输入端以及耦接一第二节点的一输出端;
一第一第二型晶体管,具有耦接一第三节点的一控制端、耦接该第二节点的一输入端、以及耦接一接地的一输出端;
一第二第二型晶体管,具有接收该写入选择信号的一控制端、耦接该第一节点的一输入端、以及耦接该第二节点的一输出端;
一第二第一型晶体管,具有耦接一第四节点的一控制端、一输入端、以及耦接该第三节点的一输出端;
一第三第二型晶体管,具有耦接该第二节点的一控制端、耦接该第三节点的一输入端、以及耦接该接地的一输出端;以及
一第四第二型晶体管,具有接收该写入选择信号的一控制端、耦接一第四节点的一输入端、以及耦接该第三节点的一输出端;
其中,该第一非易失存储元件耦接于该第二节点与该第四节点之间;以及
其中,该第一开关的该第二端耦接该第三节点,且该第二开关的该第二端耦接该第二节点。
5.如权利要求4所述的非易失静态随机存取存储器电路,其特征在于,在该写入模式下,该第二第二型晶体管以及该第四第二型晶体管导通。
6.如权利要求4所述的非易失静态随机存取存储器电路,其特征在于,在该读取模式下,该第二第二型晶体管以及该第四第二型晶体管关闭,且该第一第一型晶体管的该输入端以及该第二第一型晶体管的该输入端接收该非易失静态随机存取存储器电路的一供应电压。
7.如权利要求4所述的非易失静态随机存取存储器电路,其特征在于,该控制电路接收该写入选择信号且还包括:
一第三第一型晶体管,具有接收该写入选择信号的一控制端、耦接该非易失静态随机存取存储器电路的一供应电压的一输入端、以及耦接该第一第一型晶体管的该输入端与该第二第一型晶体管的该输入端的一输出端;
其中,该第二第二型晶体管的该控制端以及该第四第二型晶体管的该控制端接收写入选择信号;
其中,在该写入模式下,该写入选择信号处于该第一电压电平以关闭该第三第一型晶体管,且导通该第二第二型晶体管以及该第四第二型晶体管;以及
其中,在该读取模式下,该写入选择信号处于该第二电压电平以导通该第三第一型晶体管,且关闭该第二第二型晶体管以及该第四第二型晶体管。
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