[发明专利]应用石墨烯的高探测率氮化镓基肖特基型紫外探测器

权利要求书

1.一种应用石墨烯的高探测率氮化镓基肖特基型紫外探测器，其特征在于：该激光器的基本结构从下往上依次为重掺杂n型氮化镓(101)、轻掺杂n型氮化镓(102)、二氧化硅绝缘层(103)、金属电极(104)、石墨烯薄膜(105)。

2.一种应用石墨烯的高探测率氮化镓基肖特基型紫外探测器的制备方法，其特征在于：该方法的实施流程如下，

步骤1、采用金属有机化学气相沉积或者分子束外延系统或液相外延在蓝宝石或者硅片或者碳化硅上依次制作重掺杂n型氮化镓(101)，厚度为1-2微米；轻掺杂n型氮化镓(102)，厚度为300-800纳米；

步骤2、使用电感耦合等离子体刻蚀刻蚀外延片表面，刻蚀深度为10-50nm，增加外延片表面缺陷密度；亦或通过表面腐蚀、离子注入方式增加外延片表面缺陷密度；

步骤3、将外延片清洗，光刻，腐蚀，形成台面结构，即重掺杂n型氮化镓(101)、轻掺杂n型氮化镓(102)；

步骤4、生长一层二氧化硅，在轻掺杂n型氮化镓(102)之上，并进行光刻、腐蚀，形成二氧化硅绝缘层(103)，厚度为100-500纳米；

步骤5、光刻电极图形，溅射或者蒸发制作金属电极(104)，厚度为15-50/30-3000纳米，在二氧化硅绝缘层(103)之上，即二氧化硅绝缘层(103)在轻掺杂n型氮化镓(102)、金属电极(104)中间；

步骤6、转移石墨烯至器件表面，层数为1-10层，光刻石墨烯图形，等离子体刻蚀石墨烯，形成石墨烯薄膜(105)；等离子体刻蚀气体为氧气，流量为10-70L/min，功率为50-100W，刻蚀时间30s-600s；

步骤7、将减薄外延片衬底，激光切割，裂片；

其中步骤5与步骤6可以互换。