[发明专利]柔性显示器及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201410612762.7 申请日: 2014-11-04
公开(公告)号: CN104637438B 公开(公告)日: 2018-12-28
发明(设计)人: 姜振圭 申请(专利权)人: 三星显示有限公司
主分类号: G09G3/32 分类号: G09G3/32;H01L21/77;H01L27/12
代理公司: 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 代理人: 余朦;刘铮
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 柔性 显示器 及其 制造 方法
【说明书】:

发明提供了一种柔性显示器及制造柔性显示器的方法,其中该方法包括:在柔性基底上形成第一阻挡层;在第一阻挡层上形成第二阻挡层,其中第二阻挡层包括硅氮化物;释放第二阻挡层的应力;在第二阻挡层上形成第一缓冲层,其中第一缓冲层包括硅氮化物;在第一缓冲层上形成第二缓冲层;以及在第二缓冲层上形成薄膜晶体管。

技术领域

本公开涉及柔性显示器及其制造方法。

背景技术

薄膜晶体管(TFT)已使用在各种领域中,包括在诸如液晶显示器(LCD)、有机发光二极管(OLED)显示器、以及电泳显示器的平板显示设备中作为开关与驱动元件。

薄膜晶体管通常包括与传输扫描信号的栅极线连接的栅极电极、与传输待施加至像素电极的信号的数据线连接的源极电极、朝向源极电极的漏极电极、以及与源极电极和漏极电极电连接的半导体。

薄膜晶体管的半导体一般由非晶硅或晶体硅形成。非晶硅可在低温进行沉积以形成薄膜,从而广泛地用于主要使用具有低熔点的玻璃作为基底的显示设备中,并且晶体硅具有高场效应迁移率、高频操作特性以及低漏电流的电特性。

为了在基底上形成薄膜晶体管,通常需要用于防止杂质等进入薄膜晶体管的缓冲层。

然而,在缓冲层包含大量氢气的情况下,在用于使薄膜晶体管的半导体结晶的过程期间产生了由于例如膜撕裂现象而导致的薄膜晶体管的故障。

此外,根据基底的位置,氢气呈现出不同的氢钝化效应,从而导致了不一致的元件特性。

另外,在如有机发光二极管显示器那样制造柔性显示器的情况下,由于柔性显示器的特性,缓冲层可能由于重复弯曲而与基底分离。

背景部分中公开的以上信息仅用于增强对本发明背景的理解,因此其可以包括不形成在该国中对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本公开致力于提供一种柔性显示器及其制造方法,在该柔性显示器中不会产生由于氢气而导致的薄膜晶体管的故障。

此外,本公开致力于提供一种柔性显示器及其制造方法,在该柔性显示器中,即使柔性显示器重复地弯曲,薄膜也不会被分离。

一个实施方式提供了一种制造柔性显示器的方法,其包括:在柔性基底上形成第一阻挡层;在第一阻挡层上形成第二阻挡层,其中第二阻挡层包括硅氮化物;释放第二阻挡层的应力;在第二阻挡层上形成第一缓冲层,其中第一缓冲层包括硅氮化物;在第一缓冲层上形成第二缓冲层;以及在第二缓冲层上形成薄膜晶体管。

释放应力的步骤可包括将第二阻挡层暴露至空气。

柔性基底可包括具有聚酰亚胺的至少一个聚合材料层。

柔性基底可包括:第一柔性基底;形成在第一柔性基底上的中间阻挡层;以及形成在中间阻挡层上的第二柔性基底,其中中间阻挡层与第一阻挡层可包括相同的材料。

该方法还可包括在第一柔性基底与第二柔性基底之间形成粘合层,并且粘合层可包括其中掺杂有P型或N型导电杂质的非晶硅或氢化的非晶硅中至少之一。

中间阻挡层可形成为具有约至约的厚度。

第一柔性基底和第二柔性基底可包括聚酰亚胺。

第一柔性基底和第二柔性基底中的每个可形成为具有约8μm至约12μm的厚度。

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