[发明专利]一种Flash芯片的断电保护方法

说明书

技术领域

本发明涉及智能卡技术，具体设计智能卡的断电保护技术。

背景技术

芯片技术的发展突飞猛进，成本的竞争也日益激烈。非易失性存储介质EEPROM的芯片市场价格明显高出Flash芯片的价格。在能实现产品功能的前提下，很多厂商选择了成本更低的Flash芯片，这也促成市场上各种特色Flash芯片的产生和应用。常见的Flash芯片的一般特性为只支持以页为单位，整页擦除，整页写入，必须先擦后写，写前必擦；同时Flash芯片还具有相应的断电保护方案。

断电保护属于智能卡行业的核心技术，安全性必须保证，效率也需挖掘芯片特性尽力提高。在实际开发中，断电保护数据的备份必然会延长系统指令的执行时间。在市场上，往往有的项目应用对时间的要求很苛刻，这对于芯片的断电保护设计就提出更高的要求。

由此可见，如何提高Flash芯片的断电保护的效率，以缩短指令执行的时间，是本领域亟需要解决的技术问题。

发明内容

针对现有Flash芯片的断电保护机制的安全和效率方面所存在的问题，本发明提供一种Flash芯片的特殊断电保护方法，本方案能够实现Flash芯片在擦好的页内在极短时间内对不同的地址可进行多次写操作，提高了断电保护的效率，极大的缩短指令执行时间。

为了达到上述目的，本发明采用如下的技术方案：

一种Flash芯片的断电保护方法，所述断电保护方法在芯片的可操作页建立页备份数据，再针对该页备份数据建立有效的页备份单元，在进行断电保护时，通过有效的页备份单元恢复对应的页备份数据。

在本方法的优选方案中，所述断电保护方法针对离散数据，建立不定长字节备份单元，通过该单元恢复更新前指定长度的旧数据。

进一步的，上述的页备份单元的格式如下：

Tag1(A3A3A3A3)ADDRESSTag2(55555555)

其中，Tag1表示该页备份单元有效；

ADDRESS表示页备份数据的首地址；

Tag2表示该页备份单元有效。

再者，上述的页备份单元的生成过程如下：

(1)在建立页备份数据后，首先写入页备份单元中的ADDRESS项；

(2)接着写入Tag1项，表示页备份单元有效；

(3)在更新ADDRESS指定页的数据后写入Tag2项，表示页备份单元无效。

针对芯片任一可操作页建立的页备份单元，在任意时候只有一个页备份单元有效。

进一步的，上述的不定长字节备份单元的格式如下：

Tag3(3A3A3A3A)LenValueADDRESS

其中，Tag3表示该不定长字节单元有效；

Len表示备份旧数据的长度；

Value表示备份的数据内容；

ADDRESS表示备份数据的起始地址。

再进一步的，所述不定长字节备份单元的生成过程如下：