[发明专利]一种Flash芯片的断电保护方法有效
| 申请号： | 201410605751.6 | 申请日： | 2014-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN104461770B | 公开（公告）日： | 2017-12-15 |
| 发明（设计）人： | 胡永刚;沈勇坚;王翔平 | 申请（专利权）人： | 上海动联信息技术股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F11/14 | 分类号： | G06F11/14 |
| 代理公司： | 上海天翔知识产权代理有限公司31224 | 代理人： | 刘常宝 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 flash 芯片 断电 保护 方法 | ||
1.一种Flash芯片的断电保护方法，其特征在于，所述断电保护方法在芯片的可操作页建立页备份数据，再针对该页备份数据建立有效的页备份单元，在进行断电保护时，通过有效的页备份单元恢复对应的页备份数据；
所述页备份单元的格式如下：
其中，Tag1表示该页备份单元有效；
ADDRESS表示页备份数据的首地址；
Tag2表示该页备份单元有效。
2.根据权利要求1所述的一种Flash芯片的断电保护方法，其特征在于，所述断电保护方法针对离散数据，建立不定长字节备份单元，通过该不定长字节备份单元恢复更新前指定长度的旧数据。
3.根据权利要求1所述的一种Flash芯片的断电保护方法，其特征在于，所述页备份单元的生成过程如下：
(1)在建立页备份数据后，首先写入页备份单元中的ADDRESS项；
(2)接着写入Tag1项，表示页备份单元有效；
(3)在更新ADDRESS指定页的数据后写入Tag2项，表示页备份单元无效。
4.根据权利要求1或3所述的一种Flash芯片的断电保护方法，其特征在于，针对芯片任一可操作页建立的页备份单元，在任意时候只有一个页备份单元有效。
5.根据权利要求2所述的一种Flash芯片的断电保护方法，其特征在于，所述不定长字节备份单元的格式如下：
其中，Tag3表示该不定长字节单元有效；
Len表示备份旧数据的长度；
Value表示备份的数据内容；
ADDRESS表示备份数据的起始地址。
6.根据权利要求5所述的一种Flash芯片的断电保护方法，其特征在于，所述不定长字节备份单元的生成过程如下：
(1)根据建立的页备份数据，形成对应的Len、Value、ADDRESS项，并一次写入更新不定长字节备份单元；
(2)写入Tag3，表示更新不定长字节备份单元有效。
7.根据权利要求2所述的一种Flash芯片的断电保护方法，其特征在于，所述断电保护方法中，每条指令执行之前，都要初始化擦空页备份单元区和不定长字节备份单元区，以保证指令执行过程中可以分步建立正确的页备份单元和不定长字节备份单元。
8.根据权利要求2所述的一种Flash芯片的断电保护方法，其特征在于，所述断电保护方法中，在依据页备份单元进行恢复完成后，立即让唯一有效的页备份单元失效；在依据不定长字节备份单元进行恢复完成后，擦除不定长字节备份单元区和页备份单元区。
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