[发明专利]一种AMOLED触控显示装置及其制备方法、驱动方法有效
申请号: | 201410598564.X | 申请日: | 2014-10-30 |
公开(公告)号: | CN104409469B | 公开(公告)日: | 2017-02-15 |
发明(设计)人: | 刘利宾;王丹;王龙 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56;G06F3/044;G09G3/3225;G09G3/3233 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 amoled 显示装置 及其 制备 方法 驱动 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种AMOLED触控显示装置及其制备方法、驱动方法。
背景技术
对于现有的显示装置而言,有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)作为一种电流型发光器件,因其所具有的自发光、快速响应、宽视角和可制作在柔性衬底上等特点而越来越多地被应用于高性能显示领域当中。OLED按驱动方式可分为PMOLED(Passive Matrix Driving OLED,无源矩阵驱动有机发光二极管)和AMOLED(Active Matrix Driving OLED,有源矩阵驱动有机发光二极管)两种,由于AMOLED显示装置具有低制造成本、高应答速度、省电、可用于便携式设备的直流驱动、工作温度范围大等等优点而可望成为取代LCD(liquid crystal display,液晶显示器)的下一代新型平面显示器。
为了使得AMOLED显示装置具有直观、易操作等优点,现有技术中会在AMOLED显示装置的制作工艺中结合触控技术。例如,在AMOLED显示装置01的显示面板上贴合或组装外挂式触控屏02(Add On Touch Panel),以达到触控显示的目的。具体的,上述外挂式触摸屏如图1所示,包括下基板10、依次位于下基板10表面的第一透明导电层11、绝缘物12、第二透明导电层13,以及位于第二透明导电层12表面的上基板14。当用户触摸上基板14的触点位置140时,第二通明导电层13发生形变,并与第一透明导电层11发生接触,经由等效电路传出相应的电信号,经过转换电路送到处理器,处理器通过运算得到上述触电位置的具体坐标,从而达到触控显示的目的。
然而采用上述制作工艺,虽然可以实现触控显示,但是会增加显示器显示面板的厚度,不利于显示面板超薄化的趋势。因此会降低用体验,降低产品的市场竞争能力。
发明内容
本发明的实施例提供一种AMOLED触控显示装置及其制备方法、驱动方法,能够解决外挂式触控屏造成显示面板厚度较厚的问题。
为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:
本发明实施例的一方面,提供一种AMOLED触控显示装置,包括有机功能层,以及依次位于所述有机功能层表面的阴极、阴极保护层;还包括:
位于所述阴极保护层表面的多个相互间隔设置,并呈矩阵形式排列的第一电极和第二电极;
沿第一方向将相邻两个所述第一电极进行电连接的第一连接部;
沿第二方向将相邻两个所述第二电极进行电连接的第二连接部;
设置于所述第一连接部和所述第二连接部之间的第一绝缘层;
其中,所述第一方向与所述第二方向交叉设置。
本发明实施例的另一方面,提供一种AMOLED触控显示装置的制备方法,包括形成有机功能层的方法,以及在所述有机功能层表面依次形成阴极、阴极保护层的方法;还包括:
在位于所述阴极保护层的表面,通过构图工艺形成多个相互间隔设置,并呈矩阵形式排列的第一电极和第二电极的图案;
沿第一方向,通过构图工艺形成将相邻两个所述第一电极进行电连接的第一连接部的图案;
在所述第一连接部的图案表面形成第一绝缘层的图案;
沿第二方向,通过构图工艺形成将相邻两个所述第二电极进行电连接的第二连接部的图案;
其中,所述第一方向与所述第二方向交叉设置。
本发明实施例的又一方面,提供一种AMOLED触控显示装置的驱动方法,在所述AMOLED触控显示装置包括由薄膜晶体管构成的第三连接部的情况下,所述驱动方法还包括:
在触摸阶段,薄膜晶体管处于截止状态,将阴极与位于阴极保护层表面的第一电极或第二电极断开;
在发光阶段,发光控制线将发光信号输入至所述薄膜晶体管的栅极,所述薄膜晶体管处于导通状态,所述阴极与所述第一电极或所述第二电极导通。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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