[发明专利]一种AMOLED触控显示装置及其制备方法、驱动方法

权利要求书

1.一种AMOLED触控显示装置，包括有机功能层，以及依次位于所述有机功能层表面的阴极、阴极保护层；其特征在于，还包括：

位于所述阴极保护层表面的多个相互间隔设置，并呈矩阵形式排列的第一电极和第二电极；

沿第一方向将相邻两个所述第一电极进行电连接的第一连接部；

沿第二方向将相邻两个所述第二电极进行电连接的第二连接部；

设置于所述第一连接部和所述第二连接部之间的第一绝缘层；

其中，所述第一方向与所述第二方向交叉设置。

2.根据权利要求1所述的AMOLED触控显示装置，其特征在于，还包括：

用于在所述AMOLED触控显示装置处于发光阶段的情况下，将所述阴极与所述第一电极或所述第二电极进行电连接的第三连接部。

3.根据权利要求2所述的AMOLED触控显示装置，其特征在于，所述第三连接部包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的栅极连接发光控制线，第一极连接所述阴极，第二极与所述第一电极或所述第二电极相连接。

4.根据权利要求1-3任一项所述的AMOLED触控显示装置，其特征在于，

所述第一电极与所述第一连接部为一体结构；和/或，

所述第二电极与所述第一连接部为一体结构。

5.根据权利要求4所述的AMOLED触控显示装置，其特征在于，

所述第一电极和所述第二电极与所述阴极同材料设置。

6.根据权利要求5所述的AMOLED触控显示装置，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极的厚度范围为100nm～150nm。

7.根据权利要求1所述的AMOLED触控显示装置，其特征在于，还包括设置于所述第二连接部表面的第二绝缘层。

8.根据权利要求1或7所述的AMOLED触控显示装置，其特征在于，

所述第一绝缘层或所述第二绝缘层与所述阴极保护层同材料设置。

9.根据权利要求8所述的AMOLED触控显示装置，其特征在于，所述第一绝缘层或所述第二绝缘层的厚度范围为40nm～60nm；

所述第一绝缘层或所述第二绝缘层的介电常数范围为4.3F/m～3.8F/m。

10.一种AMOLED触控显示装置的制备方法，包括形成有机功能层的方法，以及在所述有机功能层表面依次形成阴极、阴极保护层的方法；其特征在于，还包括：

在位于所述阴极保护层的表面，通过构图工艺形成多个相互间隔设置，并呈矩阵形式排列的第一电极和第二电极的图案；

沿第一方向，通过构图工艺形成将相邻两个所述第一电极进行电连接的第一连接部的图案；

在所述第一连接部的图案表面形成第一绝缘层的图案；

沿第二方向，通过构图工艺形成将相邻两个所述第二电极进行电连接的第二连接部的图案；

其中，所述第一方向与所述第二方向交叉设置。

11.根据权利要求9所述的AMOLED触控显示装置的制备方法，其特征在于，还包括：

设置用于在所述AMOLED触控显示装置处于发光阶段的情况下，将所述阴极与所述第一电极或所述第二电极进行电连接的第三连接部。

12.根据权利要求11所述的AMOLED触控显示装置的制备方法，所述第三连接部包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的栅极连接发光控制线，第一极连接所述阴极，第二极与所述第一电极或所述第二电极相连接。

13.根据权利要求11所述的AMOLED触控显示装置的制备方法，其特征在于，

所述第一连接部和所述第二连接部与所述阴极同材料设置。

14.根据权利要求10所述的AMOLED触控显示装置的制备方法，其特征在于，所述在位于所述阴极保护层的表面，通过构图工艺形成相互间隔设置，并呈矩阵形式排列的第一电极和第二电极的图案的方法包括：

在所述第一方向上，采用第一掩膜版，通过一次构图工艺，在所述阴极保护层的表面形成所述第一电极的图案；

在所述第二方向上，采用所述第一掩膜版，通过一次构图工艺，在所述阴极保护层的表面形成所述第二电极的图案。