[发明专利]存储器单元、电路以及制造存储器单元的方法

权利要求书

1.一种存储器单元，包括：

垂直选择栅极，在被制作于半导体衬底中的沟槽中延伸；

浮置栅极，在所述衬底上延伸；

水平控制栅极，在所述浮置栅极上方延伸，其中所述浮置栅极具有在所述衬底的上表面下方延伸的突起，并且所述突起被设置在所述沟槽的侧壁和所述垂直选择栅极的相邻的侧壁之间；以及

第一介电层，定位在所述衬底内，并且在所述浮置栅极的所述突起与所述垂直选择栅极之间。

2.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述第一介电层包括覆盖所述沟槽的壁的较薄区域和邻近所述衬底的上表面的较厚区域。

3.根据权利要求2所述的存储器单元，其中所述突起在所述衬底的在所述介电层的所述较厚区域内的表面的下方延伸，并且具有与所述垂直选择栅极的一部分相对的面。

4.根据权利要求1所述的存储器单元，包括：

垂直沟道区域，与所述选择栅极相对延伸；以及

嵌入层，形成收集源极平面，用于收集用于对形成在相同衬底上的所述存储器单元和其他存储器单元进行编程的编程电流，所述嵌入层电耦合至所述垂直沟道区域。

5.根据权利要求1所述的存储器单元，包括：

第二介电层，覆盖所述控制栅极和所述浮置栅极的侧壁并且在所述垂直选择栅极上方垂直延伸；以及

电接触件，沿所述第二介电层垂直延伸并且与所述垂直选择栅极相接触。

6.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述浮置栅极在所述垂直选择栅极的一部分的上方延伸从第一平面到第二平面的非零重叠距离，所述第一平面与所述浮置栅极的侧边缘对准并且延伸通过所述垂直选择栅极的内部，所述第二平面与所述垂直选择栅极的侧边缘对准。

7.一种电路，包括：

第一存储器单元，其包括在半导体衬底上延伸的第一浮置栅极和在所述第一浮置栅极上方延伸的第一水平控制栅极，其中所述第一浮置栅极具有在所述衬底的上表面下方延伸的第一突起；以及

第二存储器单元，其包括在半导体衬底上延伸的第二浮置栅极和在所述第二浮置栅极上方延伸的第二水平控制栅极，其中所述第二浮置栅极具有在所述衬底的上表面下方延伸的第二突起；

垂直选择栅极，在所述衬底中的沟槽中并且在所述第一突起和所述第二突起之间延伸，所述第一突起和所述第二突起中的每个突起被设置在所述沟槽的侧壁和所述垂直选择栅极的相邻的侧壁之间；

第一介电层部分，定位在所述衬底内，并且在所述第一突起与所述垂直选择栅极的第一侧之间；以及

第二介电层部分，定位在所述衬底内，并且在所述第二突起与所述垂直选择栅极的第二侧之间。

8.根据权利要求7所述的电路，其中所述第一介电层部分和所述第二介电层部分是第一介电层的部分，所述第一介电层包括覆盖所述沟槽的壁的较薄区域和邻近所述衬底的上表面的第一较厚区域和第二较厚区域。

9.根据权利要求8所述的电路，其中所述第一突起在所述衬底的在所述第一介电层的所述第一较厚区域内的表面的下方延伸，并且具有与所述垂直选择栅极的第一部分相对的面，而所述第二突起在所述衬底的在所述第一介电层的所述第二较厚区域内的表面的下方延伸，并且具有与所述垂直选择栅极的第二部分相对的面。

10.根据权利要求7所述的电路，包括：

第一垂直沟道区域，与所述垂直选择栅极的第一侧相对延伸；

第二垂直沟道区域，与所述垂直选择栅极的第二侧相对延伸；以及

嵌入层，形成收集源极平面，用于收集用于对形成在相同衬底上的所述存储器单元和其他存储器单元进行编程的编程电流，所述嵌入层电耦合至所述第一垂直沟道区域和所述第二垂直沟道区域。

11.根据权利要求7所述的电路，包括：

第二介电层，覆盖所述第一控制栅极和所述第一浮置栅极的侧壁并且在所述垂直选择栅极上方垂直延伸；

第三介电层，覆盖所述第二控制栅极和所述第二浮置栅极的侧壁并且在所述垂直选择栅极上方垂直延伸；以及

电接触件，沿所述第二介电层和所述第三介电层并且在所述第二介电层和所述第三介电层之间垂直延伸，并且与所述垂直选择栅极相接触。