[发明专利]复合薄片、层叠陶瓷电子部件以及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201410594323.8 申请日: 2014-10-29
公开(公告)号: CN104599838B 公开(公告)日: 2018-03-27
发明(设计)人: 久保田好春;堤启恭 申请(专利权)人: 株式会社村田制作所
主分类号: H01G4/12 分类号: H01G4/12;H01G4/30
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司11021 代理人: 齐秀凤
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 复合 薄片 层叠 陶瓷 电子 部件 及其 制造 方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及在陶瓷生片上印刷导体膜的复合薄片、和使用该复合薄片构成的层叠陶瓷电子部件以及其制造方法。

背景技术

过去,在层叠陶瓷电容器等的层叠陶瓷电子部件的制造时,在陶瓷生片上印刷内部电极。然后,将印刷了内部电极的陶瓷生片即复合薄片层叠。伴随着层叠陶瓷电子部件的小型化而陶瓷生片和内部电极的层叠数不断增大。为此,层叠需要长时间。若缩短层叠时间,则层间的密接力会变低。若层间的密接力变低,在层叠工序中就易于发生层叠偏离。

在下述的专利文献1中,公开了在内部电极端缘部分设置在厚度方向上突出的鞍部的层叠陶瓷电子部件。按照鞍部彼此在厚度方向上不重合的方式层叠多个内部电极。由此谋求脱层的抑制。

专利文献

专利文献1:WO2011/071143

如专利文献1记载那样,在内部电极设置鞍部的结构中,能抑制脱层的发生且提高内部电极端缘部分的内部电极和陶瓷生片的密接力。因此,认为能抑制上述层叠偏离。

但是,伴随层叠陶瓷电子部件的进一步的小型化,要求进一步提高内部电极和陶瓷生片的密接力。

发明内容

本发明的目的在于提供一种进一步提高导体膜与陶瓷生片之间的密接力、能有效果地防止层叠偏离的复合薄片。本发明的其它目的在于,提供一种提高了陶瓷层与内部电极的密接性的层叠陶瓷电子部件以及其制造方法。

本发明所涉及的复合薄片具备:具有长度方向的陶瓷生片;和印刷在所述陶瓷生片上的导体膜,在所述导体膜,按照构成在所述长度方向上延伸的列的方式,设有沿长度方向分散配置且厚度与其余的部分不同的多个不同厚度区域。

在本发明所涉及的复合薄片的某特定的局面下,在俯视的情况下,所述不同厚度区域具有点状的形状。

在本发明所涉及的复合薄片的其它特定的局面下,多个所述不同厚度区域被设置为构成多个所述列。

在本发明所涉及的复合薄片的另外的特定的局面下,所述不同厚度区域是厚度比其余的部分薄的薄壁区域。

在本发明所涉及的复合薄片的其它特定的局面下,所述不同厚度区域是厚度比其余的部分厚的厚壁区域。

在本发明所涉及的复合薄片的再其它特定的局面下,在所述厚壁区域内,设有厚度比该厚壁区域薄的中央薄壁区域。

本发明所涉及的层叠陶瓷电子部件具备:陶瓷烧结体;和在所述陶瓷烧结体内隔着陶瓷层相互重叠地配置的多个内部电极,所述内部电极是具有长边方向、和与长边方向正交的短边方向的平面形状,所述内部电极具有按照构成在所述长边方向上延伸的列的方式被分散配置且密度与其余的部分不同的多个不同密度区域。

在本发明所涉及的层叠陶瓷电子部件的某特定的局面下,所述不同密度区域在俯视的情况下具有点状的形状。

在本发明所涉及的层叠陶瓷电子部件的其它特定的局面下,多个所述不同密度区域被设置为构成多个所述列。

在本发明所涉及的层叠陶瓷电子部件的再其它特定的局面下,所述不同密度区域是密度比其余的部分低的低密度区域。

在本发明所涉及的层叠陶瓷电子部件的再另外的特定的局面下,所述不同密度区域是密度比其余的部分高的高密度区域。

在本发明所涉及的层叠陶瓷电子部件的其它特定的局面下,在所述高密度区域内,设有密度比该高密度区域低的中央低密度区域。

在本发明所涉及的层叠陶瓷电子部件的再另外的特定的局面下,提供作为层叠陶瓷电容器的层叠陶瓷电子部件。

本发明所涉及的层叠陶瓷电子部件的制造方法具备:准备按照本发明而构成的复合薄片的工序;层叠多片的所述复合薄片来得到层叠体的工序;将所述层叠体切断为各个层叠陶瓷电子部件单位的层叠体的工序;烧成各个层叠陶瓷电子部件单位的层叠体来得到具有导体膜被烧成而形成的多个内部电极的陶瓷烧结体的工序。

发明的效果

在本发明所涉及的复合薄片中,由于在导体膜按照构成在长度方向上延伸的列的方式设有多个不同厚度区域,因此在层叠多片的该复合薄片时,能有效果地抑制层叠偏离。另外,能有效果地提高导体膜与陶瓷生片的密接性。

因而,通过使用上述本发明的复合薄片来实施本发明的层叠陶瓷电子部件的制造方法,能提供本发明的层叠陶瓷电子部件。在本发明的层叠陶瓷电子部件中,有效地提高了内部电极与陶瓷的密接性,且不容易发生层叠偏离。

附图说明

图1(a)是在本发明的第1实施方式准备的复合薄片的俯视图,(b)是导体膜的示意俯视图,(c)是表示导体膜的主要部分的部分放大截面图。

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