[发明专利]镀膜的金刚石切削的复制母盘和相关联的方法

权利要求书

1.一种用于形成镀膜的、金刚石切削的复制母盘的方法，包括以下步骤：

使用单个金刚石切割工具在低硬度的金刚石可切削片中形成型面，所述型面包括多个光学体，所有所述多个光学体通过所述单个金刚石切割工具形成；和

将所述型面用抗氧化涂层涂覆。

2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：在形成所述型面的步骤之前，形成厚度在0.5mm与2mm之间的低硬度金刚石可切削材料的片。

3.根据权利要求1所述的方法，其中涂覆所述型面的步骤包括：形成厚度在0.5μm与3μm之间的抗氧化涂层的层。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述形成所述型面的步骤包括：产生多个相同的光学体。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述形成所述型面的步骤包括：产生布置在均匀间隔开的二维网格中的多个光学体。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述均匀间隔开的二维网格与CMOS图像传感器晶片上的图像传感器裸片的对应二维网格匹配。

7.根据权利要求1所述的方法，其中涂覆所述型面的步骤包括：电镀所述型面和化学镀所述型面中的一种或两种。

8.根据权利要求1所述的方法，其中涂覆所述型面的步骤包括：真空沉积所述抗氧化涂层。

9.一种用于制备晶片级透镜阵列的镀膜的、金刚石切削的复制母盘，包括：

低硬度金刚石可切削片；

型面，所述型面形成在所述低硬度金刚石可切削片中，所述型面包括多个光学体，所有所述多个光学体被单个金刚石切割工具切割至内部；和

抗氧化涂层，所述抗氧化涂层形成在所述型面上用于保护所述型面。

10.根据权利要求9所述的镀膜的、金刚石切削的复制母盘，其中所述低硬度金刚石可切削片包括涂覆有低硬度金刚石可切削材料的基片。

11.根据权利要求10所述的镀膜的、金刚石切削的复制母盘，其中所述基片由钢、铝或殷钢中的一种形成。

12.根据权利要求9所述的镀膜的、金刚石切削的复制母盘，其中所述低硬度金刚石可切削片由选自以下元素构成的组中的至少一种元素形成：铟、锡、铅、锌、镁、铝、银、金和铜。

13.根据权利要求9所述的镀膜的、金刚石切削的复制母盘，其中所述多个光学体具有光学体深度，且所述低硬度金刚石可切削片的厚度比所述光学体深度大至少100μm。

14.根据权利要求9所述的镀膜的、金刚石切削的复制母盘，其中所述抗氧化涂层的厚度在0.5μm与3μm之间。

15.根据权利要求9所述的镀膜的、金刚石切削的复制母盘，其中所述抗氧化涂层由包括镍、镍磷合金、镍硼合金或铜镍合金中的一种或多种的材料形成。

16.根据权利要求9所述的镀膜的、金刚石切削的复制母盘，其中所述抗氧化涂层由非晶材料形成。

17.根据权利要求9所述的镀膜的、金刚石切削的复制母盘，其中所述型面包括布置在均匀间隔开的二维网格中的多个光学体。

18.根据权利要求17所述的镀膜的、金刚石切削的复制母盘，其中所述均匀间隔开的二维网格与CMOS图像传感器晶片上的图像传感器裸片的对应二维网格匹配。

19.根据权利要求9所述的镀膜的、金刚石切削的复制母盘，其中所述多个光学体是相同的。

20.根据权利要求9所述的镀膜的、金刚石切削的复制母盘，其中所述多个光学体中的每个光学体具有根据所述光学体内的位置而变化的深度。

21.根据权利要求20所述的镀膜的、金刚石切削的复制母盘，其中所述多个光学体中的每个光学体在离所述光学体的中心的径向距离为非零处具有最大深度。