[发明专利]掩模板及其制造方法、利用掩模板构图的方法有效
申请号: | 201410589976.7 | 申请日: | 2014-10-28 |
公开(公告)号: | CN104280997B | 公开(公告)日: | 2018-05-22 |
发明(设计)人: | 史大为;刘红亮 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | G03F1/22 | 分类号: | G03F1/22 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 林桐苒;李丹 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 模板 及其 制造 方法 利用 构图 | ||
本发明提供一种掩模板及其制造方法、利用掩模板构图的方法。该掩模板包括:相对设置的第一基板和第二基板;位于所述第一基板与所述第二基板之间的液晶层;形成于所述第一基板上的透明导电层,所述透明导电层与所述液晶层位于所述第一基板的同一侧;以不透明导电材料形成于所述第二基板上的掩模图案;与所述透明导电层及所述掩模图案相连的供压电路,用于向所述掩模图案与所述透明导电层之间提供预设的电压。本发明通过对液晶盒的下电极构图以形成掩模图案,利用液晶在电场中偏转的性质实现了掩模板不同区域内的透光率补偿,解决了不同线密度区域曝光剂量差别过大、曝光显影后尺寸无法控制的问题。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体涉及一种掩模板及其制造方法、利用掩模板构图的方法。
背景技术
常规的掩模板的掩模图案在各个区域内的线密度大小存在差异,例如对应于扫描线的fanout配线(扇形配线)区域的掩模图案的线密度(与fanout配线区域的布线密度一致)通常情况下相对很大(或者说掩模图案中的透光间隙相对很小),而对应于pixel(像素)区域的掩模图案的线密度则相对很小(或者说掩模图案中的透光间隙相对很大)。在进行曝光时,虽然掩模板中不同区域接收到的曝光剂量是相同的,但是线密度的差异会导致光在不同区域内的透射率存在差异(例如图案较密集的区域内光线的透过率较低),这使得线密度大的区域所需的曝光剂量也更大,因而不同区域内理想的曝光显影后尺寸难以同时保证,不利于掩模工艺的简化。
发明内容
针对现有技术中的缺陷,本发明提供一种掩模板及其制造方法、利用掩模板构图的方法,以解决不同线密度区域曝光剂量差别过大、曝光显影后尺寸无法控制的问题。
第一方面,本发明提供了一种掩模板,包括:
相对设置的第一基板和第二基板;
位于所述第一基板与所述第二基板之间的液晶层;
形成于所述第一基板上的透明导电层,所述透明导电层与所述液晶层位于所述第一基板的同一侧;
以不透明导电材料形成于所述第二基板上的掩模图案;
与所述透明导电层及所述掩模图案相连的供压电路,用于向所述掩模图案与所述透明导电层之间提供预设的电压。
优选地,所述第二基板上包括以透明导电材料形成的连接图案。
优选地,所述连接图案进一步用于使所述第二基板上的任意两个相互分离的部分掩模图案彼此电连接;
所述供压电路通过所述连接图案与所述掩模图案相连,并包括一电压源,所述电压源用于向所述掩模图案与所述透明导电层之间提供一预设的电压。
优选地,所述掩模图案分区域地形成于所述第二基板上;
所述连接图案进一步用于使所述第二基板上同一区域内的任意两个相互分离的部分掩模图案彼此电连接;
所述供压电路分别与至少一个区域内的所述掩模图案相连,并包括至少一个电压源,所述至少一个电压源用于分别向至少一个区域内的所述掩模图案与所述透明导电层之间提供预设的电压。
优选地,所述掩模图案包括多个间隔形成的条状电极。
优选地,所述掩模图案与所述液晶层分别位于所述第二基板的两侧。
优选地,所述液晶层中的液晶具有预设的预倾角。
优选地,所述掩模图案的形成材料包括金属铬。
第二方面,本发明还提供了一种掩模板的制造方法,包括:
在第一基板上形成包括透明导电层的图形;
在第二基板上形成包括至少一个区域内的掩模图案的图形,所述掩模图案的形成材料包括不透明导电材料;
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