[发明专利]电子装置及封装电子装置的方法

权利要求书

1.一种电子装置，包含：

电路板；

半导体装置，设置于该电路板上；

保护材料，设置于该半导体装置上方；

多条接合线，分别连接于该半导体装置上的多个第一连接垫以及该电路板上的多个第二连接垫之间；

第一封装体，由一第一材料所形成，用来封装每一接合线的一部分线体，以及封装多个第二接合点，其中，该些第二接合点由该些接合线与该些第二连接垫连接所形成；以及

第二封装体，由一第二材料所形成，该第二材料不同于该第一材料，该第二封装体用来封装多个第一接合点，其中，该些第一接合点由该些接合线与该些第一连接垫连接所形成。

2.如权利要求1所述的电子装置，其中该第一封装体与该第二封装体有所接触。

3.如权利要求1所述的电子装置，其中该保护材料的一侧面未与该半导体装置的一侧面切齐。

4.如权利要求1所述的电子装置，其中该第一封装体覆盖于该半导体装置的一第一表面上，以及该第二封装体覆盖于该半导体装置的一第二表面的一部分。

5.如权利要求1所述的电子装置，其中该第一封装体在该半导体装置与该电路板之间延伸；以及该第二封装体在该半导体装置与该保护材料之间延伸。

6.如权利要求1所述的电子装置，其中该保护材料为保护玻璃。

7.如权利要求1所述的电子装置，其中该电路板为印刷电路板或者是软性印刷电路板。

8.如权利要求1所述的电子装置，其中该半导体装置为液晶覆硅(liquidcrystalonsilicon,LCoS)装置的硅背板(siliconbackplane)或为裸管芯(baredie)。

9.如权利要求1所述的电子装置，其中该第一封装体的萧式硬度(shorehardness)大于该第二封装体的萧式硬度。

10.如权利要求1所述的电子装置，其中该第一封装体的热膨胀系数(coefficientofthermalexpansion,CTE)不大于该些接合线的热膨胀系数。

11.如权利要求1所述的电子装置，其中该第一封装体的热膨胀系数介于5ppm/K与24ppm/K之间。

12.如权利要求1所述的电子装置，其中该第一材料的玻璃转换温度(glasstransitiontemperature)大于85℃。

13.如权利要求1所述的电子装置，其中该第一材料的固化收缩率(curingshrinkage)不大于0.3％。

14.一种封装电子装置的方法，该电子装置具有电路板以及一半导体装置，该半导体装置设置于该电路板上，并且通过多条接合线与该电路板电连接，一保护材料设置于该半导体装置的上方，该方法包含：

将一第一材料涂覆在该电路板上的多个第二接合点以及每一条接合线的一部分线体上，并且将该第一材料固化，形成一第一封装体，其中，该些第二接合点连接于该些接合线；以及

将一第二材料涂覆在该半导体装置上的多个第一接合点上，并且将该第二材料固化，形成一第二封装体，其中，该些第一接合点连接于该些接合线。

15.如权利要求14所述的方法，其中该第一封装体与该第二封装体有所接触。

16.如权利要求14所述的方法，该第一封装体在该半导体装置与该电路板之间延伸；以及该第二封装体在该半导体装置与该保护材料之间延伸。

17.如权利要求14所述的方法，该第一封装体的萧式硬度大于该第二封装体的萧式硬度。

18.如权利要求14所述的方法，其中第一封装体的热膨胀系数不大于该些接合线的热膨胀系数。

19.如权利要求14所述的方法，其中该第一封装体的热膨胀系数介于5ppm/K与24ppm/K之间。

20.如权利要求14所述的方法，其中该第一材料的玻璃转换温度大于85℃。

21.如权利要求14所述的方法，其中该第一材料的固化收缩率不大于0.3％。