[发明专利]一种基准电源的产生电路

说明书

技术领域

本发明涉及一种基准电压源，具体是指一种基准电源的产生电路。

背景技术

无论是在数字电路、模拟电路抑或是数模混合电路中，高性能的基准电压源都是不可或缺的，它对整个系统的性能起着决定性的作用。通常情况下基准电压决定了比较器的翻转电平、振荡器的振荡频率、功率管中流过的电流值等重要的系统指标。正是基于以上情况，对于基准电压源电路的要求不断提高，出现了很多电路结构。如图1所示，是一种传统的基准电压源的设计方法。这个电路包括了具有正负输入端及输出端口的运算放大器，电阻R1、R2、R3及两个晶体管Q1、Q2。其中电阻R1=R2=R，晶体管Q1的发射极面积为Q2的发射极面积的N倍。在电路的实际工作过程中，由于运算放大器的开环增益很大，所以两个输入端的差模电压很小，可以认为近似相等，这样就有V(+)=V(-),V(+)，V(-)分别为运算放大器的正相输入端电压和反相输入端电压，即：

V_BE1+I_C1*R3=V_BE2

式中V_BE1,V_BE2分别为Q1,Q2的基极-发射极电压，I_C1为Q1的集电极电流，由于集电极电流

，

其中I_S为PN结反向饱和电流，VT=KT/q为热电压，带入上式可得：

其中，N为Q1和Q2的发射极面积之比，

如此，就产生了和绝对温度成正比的一路电流，这个电流在电阻R2产生了呈现正温度特性的电压，然后和具有负温度特性的VBE2相加，就可以得到一个随温度变化很小的基准电压源VREF，

在这个传统的基准电压源产生电路中，输出基准电压的电源抑制比PSRR主要依赖于运算放大器本身的特性。普通的二级运算放大器的PSRR在高频下的特性很差，为了改善高频下的性能，运算放大器的结构就比较复杂，增加了电路的面积和功耗；同时，传统的基准电压源产生电路存在简并点，需要额外的启动电路使电路脱离“零”简并状态，这又增加了电路的成本。

发明内容

本发明的目的在于克服目前提升机运行过程中，其运行轨迹不稳定，容易偏离原设计轨迹的难题，提供一种提升机运行轨迹的定位装置。

本发明的目的通过下述技术方案实现：

本发明一种基准电源的产生电路，包括依次连接的自偏置电路、第一级预调整电路、第二级预调整电路，所述第二级预调整电路分别与带隙基准核心电路和信号反馈电路连接，所述带隙基准核心电路与信号反馈电路连接。

所述的自偏置电路包括MOS管MP1、电阻R1、三极管Q1、三极管Q2，其中MOS管MP1的源极与外部电源VIN连接，MP1的漏极和栅极连接后通过电阻R1同时与三极管Q1的集电极和基极连接，三极管Q1的发射极同时与三极管Q2的集电极和基极连接，Q2的发射极接地，MP1的栅极作为自偏置电路的输出与第一级预调整电路连接，三极管Q1的集电极与电阻R1连接后与第二级预调整电路连接。

所述的第一级预调整电路包括MOS管MP2、MN1、二极管ZD1、电容C1，所述MP2的源极与外部电源VIN连接，MP2的栅极与自偏置电路连接，MP2的漏极分别与MN1的栅极、二极管ZD1的阴极连接，MN1的漏极与外部电源VIN连接，MN1的源极作为第一级预调整电路的输出端VDD1与第二级预调整电路连接，二极管ZD1的阳极接地，且在二极管ZD1的两端并联有电容C1。

所述的二极管ZD1为齐纳二极管。

所述第二级预调整电路包括三个MOS管MP3、MP4、MP5，两个三极管Q3、Q4，一个电阻R2，所述的MP3的源极与第一级预调整电路的输出端VDD1连接，MP3的栅极与自偏置电路连接，MP3的漏极分别与Q4的集电极、电阻R2的一端连接，电阻R2的另一端分别与三极管Q3的集电极、Q3的基极、Q4的基极连接，Q3的基极与Q4的基极连接，Q3的发射极与MP4的源极连接，Q4的发射极与MP5的源极连接，并作为第二级预调整电路的输出端VREF分别与带隙基准核心电路、信号反馈电路连接，MP4的栅极与MP5的栅极连接后与信号反馈电路连接，MP4的漏极与MP5的漏极同时接地。