[发明专利]一种基准电源的产生电路

权利要求书

1.一种基准电源的产生电路，其特征在于：包括依次连接的自偏置电路（1）、第一级预调整电路（2）、第二级预调整电路（3），所述第二级预调整电路（3）分别与带隙基准核心电路（4）和信号反馈电路（5）连接，所述带隙基准核心电路（4）与信号反馈电路（5）连接。

2.根据权利要求1所述的一种基准电源的产生电路，其特征在于：所述的自偏置电路（1）包括MOS管MP1、电阻R1、三极管Q1、三极管Q2，其中MOS管MP1的源极与外部电源VIN连接，MP1的漏极和栅极连接后通过电阻R1同时与三极管Q1的集电极和基极连接，三极管Q1的发射极同时与三极管Q2的集电极和基极连接，Q2的发射极接地，MP1的栅极作为自偏置电路（1）的输出与第一级预调整电路（2）连接，三极管Q1的集电极与电阻R1连接后与第二级预调整电路（3）连接。

3.根据权利要求1所述的一种基准电源的产生电路，其特征在于：所述的第一级预调整电路（2）包括MOS管MP2、MN1、二极管ZD1、电容C1，所述MP2的源极与外部电源VIN连接，MP2的栅极与自偏置电路（1）连接，MP2的漏极分别与MN1的栅极、二极管ZD1的阴极连接，MN1的漏极与外部电源VIN连接，MN1的源极作为第一级预调整电路（2）的输出端VDD1与第二级预调整电路（3）连接，二极管ZD1的阳极接地，且在二极管ZD1的两端并联有电容C1。

4.根据权利要求3所述的一种基准电源的产生电路，其特征在于：所述的二极管ZD1为齐纳二极管。

5.根据权利要求1所述的一种基准电源的产生电路，其特征在于：所述第二级预调整电路（3）包括三个MOS管MP3、MP4、MP5，两个三极管Q3、Q4，一个电阻R2，所述的MP3的源极与第一级预调整电路（2）的输出端VDD1连接，MP3的栅极与自偏置电路（1）连接，MP3的漏极分别与Q4的集电极、电阻R2的一端连接，电阻R2的另一端分别与三极管Q3的集电极、Q3的基极、Q4的基极连接，Q3的基极与Q4的基极连接，Q3的发射极与MP4的源极连接，Q4的发射极与MP5的源极连接，并作为第二级预调整电路（3）的输出端VREF分别与带隙基准核心电路（4）、信号反馈电路（5）连接，MP4的栅极与MP5的栅极连接后与信号反馈电路（5）连接，MP4的漏极与MP5的漏极同时接地。

6.根据权利要求1所述的一种基准电源的产生电路，其特征在于：所述的带隙基准核心电路（4）包括三个电阻R3、R4、R5，两个三极管Q6、Q7，所述的电阻R3和R4的一端连接后与第二级预调整电路（3）的输出端VREF连接，R3的另一端分别与信号反馈电路（5）、三极管Q6的集电极连接，Q6的基极和Q7的基极相连后与信号反馈电路（5）连接，Q6的发射极通过电阻R5接地，电阻R4的另一端接到三极管Q7的集电极和基极，Q7的发射极接地。

7.根据权利要求1所述的一种基准电源的产生电路，其特征在于：所述的信号反馈电路（5）包括两个MOS管MP6、MP7，两个三极管Q5、Q8，一个电容C2，其中，MP6的源极和MP7的源极分别与第二级预调整电路（3）的输出端VREF连接，MP6的栅极、MP7的栅极和MP7的漏极连接，MP6的漏极与三极管Q5的集电极连接，Q5的基极与带隙基准核心电路（4）连接，且通过电容C2与第二级预调整电路（3）的输出端VREF连接，Q5的发射极接地，MP7的栅极和MP7的漏极连接后与三极管Q8的集电极连接，Q8的基极与带隙基准核心电路（4）连接，Q8的发射极接地。