[发明专利]ITO层及ITO图案的制作方法、显示基板及显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种ITO层、ITO图案的制作方法、显示基板及显示装置。

背景技术

氧化铟锡(ITO)膜具有优良的导电性和可见光透射率，是一种重要的透明导电膜，在光电器件中得到了广泛应用。制备氧化铟锡膜有多种方法。目前一般采用的磁控溅射法，具体来说，就是在低压环境中对工作气进行撞击得到等离子气，然后使用等离子气对靶材的表面进行轰击，使靶材上的原子溅射到基板上。磁控溅射法包括直流磁控溅射法和射频溅射法，沉积氧化铟锡膜一般使用直流磁控溅射法。

氧化铟锡膜所具有的性能使它在平板显示器件中得到了广泛应用，得到高透光率的氧化铟锡镀膜一直为业界所追求。目前制备氧化铟锡膜一般采用提高基板温度、增加薄膜厚度的方法，但是高温下沉积的厚的氧化铟锡薄膜晶粒会长大或者形成柱状结构，导致氧化铟锡膜的多晶化。这样的氧化铟锡膜的透过率不高。且由于大尺寸的氧化铟锡薄膜晶粒的存在导致这种氧化铟锡膜不能被很好的刻蚀，由这样的氧化铟锡膜制作的氧化铟锡图案容易短路，从而导致相应的显示面板出现亮点缺陷。

发明内容

本发明的目的是提供一种氧化铟锡层的制作方法，以降低所制作的氧化铟锡层的多晶化程度。

为了达到上述目的，本发明提供了一种氧化铟锡层的制作方法，该方法通过在本底真空环境下采用磁控溅射工艺在衬底基板上沉积氧化铟锡层，所述磁控溅射工艺的工作气为氩气，其特征在于，在沉积氧化铟锡层的过程中，向本底真空环境中通入水形成水蒸气，通入水的速度为Q2*T_ITO/10000*(1±20％)sccm；

其中，Q2表示在单位为sccm时，向本底真空环境中通入的氩气的流量所对应的数值；T_ITO表示在单位为埃时，需要沉积的氧化铟锡层的厚度的数值。

进一步的，所述方法具体用于沉积厚度大于等于700埃的氧化铟锡层。

进一步的，所述方法具体用于沉积厚度为700埃的氧化铟锡层，Q2具体为100±10sccm，Q1具体为0.7±0.1。

进一步的，所述方法具体用于沉积厚度为1350埃的氧化铟锡层，Q2具体为100±10sccm，Q1具体为1.2±0.2。

本发明提供了一种氧化铟锡图案的制作方法，包括：

提供上述氧化铟锡层的制作方法所制作的氧化铟锡层；

对所述氧化铟锡层进行图案化；

对图案化后的氧化铟锡层进行退火。

进一步的，所述对所述氧化铟锡层进行图案化包括：

在氧化铟锡层上涂覆光刻胶；

采用掩膜板对所述光刻胶进行曝光显影，形成包括保留区域和非保留区域的光刻胶图案；

对非保留区域对应的氧化铟锡层进行刻蚀。

本发明提供了一种显示基板，包括利用上述任一项所述的方法制作的氧化铟锡图案。

本发明提供了一种显示装置，其特征在于，包括上述显示基板。

本发明提供的非晶氧化铟锡层的制作方法中，向本底真空环境中通入水形成水蒸气，且通入的水的流量根据需要制作的非晶氧化铟锡层的厚度所决定。采用本发明提供的制作方法，能够大大降低所制作的非晶氧化铟锡层的多晶化程度。

附图说明

图1为本发明实施例提供的氧化铟锡图案的制作方法的流程示意图；

图2为图1中的步骤S2的一种优选实施方式的流程示意图；

图3a为利用现有技术的工艺条件制作的氧化铟锡图案中不同节点之间的电阻的测试值；

图3b为利用图1的方法制作的氧化铟锡图案中不同节点之间的电阻的测试值；

图4a在不同水流量下制作的厚度为1350埃的氧化铟锡图案的透过率及电阻值的统计图；

图4b在不同水流量下制作的厚度为700埃的氧化铟锡图案的透过率及方阻值的统计图；

图4c在不同水流量下制作的厚度为400埃的氧化铟锡图案的透过率及方阻值的统计图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例，对本发明的具体实施方式作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本发明的技术方案，而不能以此来限制本发明的保护范围。