[发明专利]一种半导体功率器件的背面掺杂区的结构在审
| 申请号： | 201410571144.2 | 申请日： | 2014-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN105895665A | 公开（公告）日： | 2016-08-24 |
| 发明（设计）人： | 苏冠创 | 申请（专利权）人： | 南京励盛半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/36;H01L21/266 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 210008 江苏省南京*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 功率 器件 背面 掺杂 结构 | ||
【说明书】：
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