[发明专利]一种兼容多尺寸硅外延测试片的制备方法在审

专利信息
申请号: 201410570923.0 申请日: 2014-10-23
公开(公告)号: CN104282595A 公开(公告)日: 2015-01-14
发明(设计)人: 王文林;陈涛;高航;李明达 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第四十六研究所
主分类号: H01L21/66 分类号: H01L21/66
代理公司: 天津中环专利商标代理有限公司 12105 代理人: 王凤英
地址: 300220*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 一种 兼容 尺寸 外延 测试 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种兼容多尺寸硅外延测试片的制备方法,其特征在于:包括如下步骤:

步骤一.夹具安装:取一个大尺寸装片花篮,根据需要制备的小尺寸测试片的片数和尺寸选择对应数量和尺寸的夹具,将选择好的小尺寸测试片的夹具一一对应大尺寸装片花篮两侧的卡槽紧密插接啮合;

步骤二.外延片装配:将不同尺寸外延片分别装配在大尺寸装片花篮的卡槽和相应的小尺寸测试片夹具的卡槽中;

步骤三.外延片表面处理:采用HF溶液将硅外延测试片表面的自然氧化层漂洗干净,用去离子水将外延片表面冲洗干净,对于导电类型为P型的硅外延测试片甩干或用氮气吹干备测;对于导电类型为N型的硅外延测试片,要保持全部硅外延测试片浸没于H2O2热溶液中氧化处理,使其表面生成一层均匀的氧化层,再用去离子水将硅外延测试片表面冲洗干净,甩干或用氮气吹干备测;

步骤四.测试外延片厚度和电阻率:表面处理过的测试片依次进行厚度和电阻率测试。

2.根据权利要求1所述的一种兼容多尺寸硅外延测试片的制备方法,其特征在于:步骤三中所述的HF溶液的浓度为10%~40%,漂洗时间为30~120 s。

3.根据权利要求1所述的一种兼容多尺寸硅外延测试片的制备方法,其特征在于:步骤三中所述的H2O2溶液的温度为75~90℃,浓度为10%~20%,热氧化时间为8~13 min。

4.根据权利要求1所述的一种兼容多尺寸硅外延测试片的制备方法,其特征在于:所述的小尺寸测试片夹具由两个承托小尺寸硅外延片的平行插板组成一套,每个平行插板的后端设有与大尺寸装片花篮的卡槽插接的插条,每个平行插板的前端设有装配小尺寸硅外延片的卡槽。

5.根据权利要求4所述的一种兼容多尺寸硅外延测试片的制备方法,其特征在于:所述的小尺寸测试片夹具采用聚四氟乙烯、聚偏氟乙烯、全氟烷基乙烯基醚共聚物、聚丙烯树脂或者其它具有抗高温、耐酸碱腐蚀性的材质加工而成。

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