[发明专利]一种阻变存储器写操作电路

说明书

技术领域

本发明涉及存储器技术领域，特别涉及一种阻变存储器写操作电路。

背景技术

阻变存储器作为非挥发存储技术逐步成为研究热点，广泛的应用于存储技术领域。

存储器写操作过程的质量决定存储器的稳定性，现有的存储器，存储过程中往往会出现一些过写或者误写现象，严重影响存储可靠性和稳定性。

另一方面，写操作过程功耗较大，通过自反馈控制提升写操作效率，降低功耗；同时reset完成后有时会带来resetfail问题。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种避免过写和误写问题，提升写操作可靠性以及效率，降低功耗，避免resetfail问题。

为解决上述技术问题，本发明提供了一种阻变存储器写操作电路，通过自反馈实现写操作的验证；包括：

电压反馈模块，获取存储器阵列晶体管的漏端电压DL，并与参考电压Vref比较，输出反馈信号Fb；

反馈控制逻辑电路，接收写使能信号Wen与写操作信号Data，在所述反馈信号Fb的控制下输出控制信号Cont，驱动或者终断下级电路的写操作；

斜坡脉冲产生电路，接收所述控制信号Cont，产生逐级变化的脉冲信号Vout；

极性选择电路，接收所述脉冲信号Vout与写操作信号Data，输出SL信号与BL_pre信号；

列译码与列选通电路，接收BL_pre信号，执行译码并选通列选通管将所述BL-pre信号写入所述存储阵列位线BL；

其中，所述SL信号接入所述存储阵列源线；

所述斜坡脉冲电压产生电路的输出电压由基准电压开始，产生阶梯形渐变。

进一步地，所述电压反馈模块包括：

比较器，输入端分别接参考电压Vref和存储器阵列晶体管的漏端电压DL；

其中，所述比较器的输出端将比较结果Fb发送给所述反馈控制逻辑电路；

参考电压Vref为存储器阵列高阻态和低阻态时器漏端电压的均值。

进一步地，所述反馈控制逻辑电路包括：

逻辑与模块，将所述反馈信号Fb、所述写操作信号Data以及使能信号Wen进行逻辑与运算，输出控制信号Cont。

进一步地，斜坡脉冲产生电路包括：

串联电阻分压网络，将输入的电压信号分压，从相邻电阻间的分压点输出，形成多个离散电压信号输出给所述斜坡脉冲电压输出控制电路；

其中，所述分压点与所述斜坡脉冲电压输出控制电路设置控制开关，接收外部控制信号，导通或者关断所述分压点与所述斜坡脉冲电压输出控制电路间的通路。

进一步地，在经由所述串联电阻分压网络分压产生两个或者两个以上离散的电压信号的情况下，有且仅有一个电压信号输出给所述极性选择器。

进一步地，所述串联电阻分压网络包括：

11个串联的分压电阻以及任意相邻量分压电阻间的分压点；

运算放大器，所述运算放大器的输入端通过传输门分别与10个所述分压点相连；

其中，同一时间，10个所述传输门有且仅有一个传输门导通。

进一步地，所述极性选择电路包括：

第一传输门、第二传输门、第三传输门、第四传输门以及反相器；

通过所述反相器以及写操作信号Data分别向所述第一传输门、第二传输门、第三传输门以及第四传输门的控制栅端发送控制信号Data以及控制信号非Data，控制四个传输门启闭；

其中，所述第一传输门输入端连接脉冲信号Vout，输出端连接所述列译码与列选通电路的输入端；所述第二传输门输入端连接所述存储阵列源线，输出端接地；

所述第三传输门输入端连接脉冲信号Vout，输出端连接所述存储阵列源线；所述第四传输门输入端连接所述列译码与列选通电路的输入端，输出端接地。

本发明提供的阻变存储器写操作电路通过电压反馈模块检测存储阵列的漏端电压，对比参考电压从而获取存储单元的阻态，进而通过反馈控制逻辑电路的逻辑运算实现自反馈控制过程，大大提升写操作的效率，降低功耗；通过阶梯逐级变化的阶梯脉冲信号，具体执行写操作，配合反馈控制过程能够准确的判断是否写成功避免过写和误写现象，增强阻变存储器的可靠性。

附图说明

图1为本发明实施例提供的阻变存储器写操作电路结构示意图；

图2为本发明实施例提供的存储单元结构示意图；

图3为本发明实施例提供的电压反馈模块示意图；

图4为本发明实施例提供的斜坡脉冲电压产生电路结构示意图；