[发明专利]一种阻变存储器写操作电路在审

专利信息
申请号: 201410569224.4 申请日: 2014-10-22
公开(公告)号: CN104299645A 公开(公告)日: 2015-01-21
发明(设计)人: 姚穆;鲁岩;张锋 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: G11C13/00 分类号: G11C13/00
代理公司: 北京华沛德权律师事务所 11302 代理人: 刘杰
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 存储器 操作 电路
【权利要求书】:

1.一种阻变存储器写操作电路,通过自反馈实现写操作的验证;其特征在于,包括:

电压反馈模块,获取存储器阵列晶体管的漏端电压DL,并与参考电压Vref比较,输出反馈信号Fb;

反馈控制逻辑电路,接收写使能信号Wen与写操作信号Data,在所述反馈信号Fb的控制下输出控制信号Cont,驱动或者终断下级电路的写操作;

斜坡脉冲产生电路,接收所述控制信号Cont,产生逐级变化的脉冲信号Vout;

极性选择电路,接收所述脉冲信号Vout与写操作信号Data,输出SL信号与BL-pre信号;

列译码与列选通电路,接收BL-pre信号,执行译码并选通列选通管将所述BL-pre信号写入所述存储阵列位线BL;

其中,所述SL信号接入所述存储阵列源线;

所述斜坡脉冲电压产生电路的输出电压由基准电压开始,产生阶梯形渐变。

2.如权利要求1所述的阻变存储器写操作电路,其特征在于,所述电压反馈模块包括:

比较器,输入端分别接参考电压Vref和存储器阵列晶体管的漏端电压DL;

其中,所述比较器的输出端将比较结果Fb发送给所述反馈控制逻辑电路;

参考电压Vref为存储器阵列高阻态和低阻态时漏端电压的均值。

3.如权利要求1所述的阻变存储器写操作电路,其特征在于,所述反馈控制逻辑电路包括:

逻辑与模块,将所述反馈信号Fb、所述写操作信号Data以及使能信号Wen进行逻辑运算,输出控制信号Cont。

4.如权利要求1所述的阻变存储器写操作电路,其特征在于,斜坡脉冲产生电路包括:

串联电阻分压网络,将输入的电压信号分压,从相邻电阻间的分压点输出,形成多个离散电压信号输出给所述斜坡脉冲电压输出控制电路;

其中,所述分压点与所述斜坡脉冲电压输出控制电路设置控制开关,接收外部控制信号,导通或者关断所述分压点与所述斜坡脉冲电压输出控制电路间的通路。

5.如权利要求4所述的阻变存储器写操作电路,其特征在于:在经由所述串联电阻分压网络每次产生一个电压信号输出给所述极性选择器。

6.如权利要求5所述的阻变存储器写操作电路,其特征在于,所述串联电阻分压网络包括:

11个串联的分压电阻以及任意相邻量分压电阻间的分压点;

运算放大器,所述运算放大器的输入端通过传输门分别与10个所述分压点相连;

其中,同一时间,10个所述传输门有且仅有一个传输门导通。

7.如权利要求1所述的阻变存储器写操作电路,其特征在于,所述极性选择电路包括:

第一传输门、第二传输门、第三传输门、第四传输门以及反相器;

通过所述反相器以及写操作信号Data分别向所述第一传输门、第二传输门、第三传输门以及第四传输门的控制栅端发送控制信号Data以及控制信号非Data,控制四个传输门启闭;

其中,所述第一传输门输入端连接脉冲信号Vout,输出端连接所述列译码与列选通电路的输入端;所述第二传输门输入端连接所述存储阵列源线,输出端接地;

所述第三传输门输入端连接脉冲信号Vout,输出端连接所述存储阵列源线;所述第四传输门输入端连接所述列译码与列选通电路的输入端,输出端接地。

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