[发明专利]一种防静电除尘玻璃及制备方法

说明书

【技术领域】

本发明涉及一种镀膜玻璃，更具体地说是一种防静电除尘玻璃，本发明还涉及一种玻璃的制备方法。

【背景技术】

平板玻璃是一种电绝缘体。但是在非常干燥的条件下，通过摩擦或者暴露于高能辐射中就会容易带电。当手或其他低电势物体接触玻璃时，电荷会立即被消除。该放电过程会高达几千伏的电压峰值，在易燃环境中，如此高的电压容易引起爆炸，因此现有的玻璃存在非常严重的安全隐患。

另外，带电的玻璃表面容易从周围气体中吸附一些灰尘粒子，成了灰尘收集器，使玻璃很快就变得脏污不堪。

【发明内容】

本发明目的是克服了现有技术的不足，提供一种防静电除尘玻璃，利用透明导电膜，可以不断地去除平板玻璃表面的电荷，并防止表面重新带电，也能防止玻璃表面上灰尘的积累。本发明还提供一种防静电除尘玻璃的制备方法。

本发明是通过以下技术方案实现的：

一种防静电除尘玻璃，包括有玻璃基片1，在所述的玻璃基片1的复合面上由内到外依次相邻地复合有三个膜层，其特征在于：其中第一膜层即最内层为TiN_XO_y层21，第二膜层为SiN_X层22，第三膜层为SiO₂层23，所述的TiN_XO_y层21上连接有母线3。

如上所述的防静电除尘玻璃，其特征在于所述玻璃基片1为优质浮法玻璃。

如上所述的防静电除尘玻璃，其特征在于第一膜层的TiN_XO_y层21的厚度为12～15nm。

如上所述的防静电除尘玻璃，其特征在于所述第二膜层的SiN_X层22的厚度为5～7nm。

如上所述的防静电除尘玻璃，其特征在于所述第三膜层SiO₂层23的厚度为85～100nm。

如上所述的防静电除尘玻璃，其特征在于所述玻璃基片1为长方形，所述的母线3连接在所述玻璃基片1长边的TiN_XO_y层21上。

一种制备上述的防静电除尘玻璃的方法，其特征在于包括如下步骤：

(1)磁控溅射TiN_XO_y层，交流磁控溅射Ti靶，采用反应溅射，反应气体为Ar:N₂:O₂＝5:3:1，溅射功率30～45KW，玻璃走速为3～5m/min；

(2)连接母线，在TiN_XO_y层上连接母线3；

(3)磁控溅射SiN_x层，采用交流磁控溅射旋转硅靶，采用反应溅射硅铝靶Si:Al＝90:10，反应气体为N₂,Ar:N₂＝1.1:1,溅射功率10～14KW,溅射速度3～5m/min；

(4)磁控溅射SiO₂层，采用交流磁控溅射Si靶，采用反应溅射，反应气体为Ar:O₂＝2:1，溅射功率85～100KW，用两个阴极溅射，玻璃走速为4m/min。

与现有技术相比，本发明有如下优点：

本玻璃利用透明导电膜，可以不断地去除平板玻璃表面的电荷，并防止表面重新带电，也能防止玻璃表面上灰尘的积累。

【附图说明】

图1是本发明膜层结构示意图；

图2是本发明平面结构示意图。

【具体实施方式】

一种防静电除尘玻璃，包括有玻璃基片1，在所述的玻璃基片1的复合面上由内到外依次相邻地复合有三个膜层，其中第一膜层即最内层为TiN_XO_y层21，第二膜层为SiN_X层22，第三膜层为SiO₂层23，所述的TiN_XO_y层21上连接有母线3。

所述玻璃基片1为优质浮法玻璃。

所述第一膜层的TiN_XO_y层21，即氮氧化钛层，该层的主要作用是用来作为半导体膜层，该层的方块电阻R_□为500欧。TiN_XO_y层21的厚度为12～15nm。