[发明专利]一种防静电除尘玻璃及制备方法

权利要求书

1.一种防静电除尘玻璃，包括有玻璃基片(1)，在所述的玻璃基片(1)的复合面上由内到外依次相邻地复合有三个膜层，其特征在于：其中第一膜层即最内层为TiN_XO_y层(21)，第二膜层为SiN_X层(22)，第三膜层为SiO₂层(23)，所述的TiN_XO_y层(21)上连接有母线(3)。

2.根据权利要求1所述的防静电除尘玻璃，其特征在于所述玻璃基片(1)为优质浮法玻璃。

3.根据权利要求1所述的防静电除尘玻璃，其特征在于第一膜层的TiN_XO_y层(21)的厚度为12～15nm。

4.根据权利要求1所述的防静电除尘玻璃，其特征在于所述第二膜层的SiN_X层(22)的厚度为5～7nm。

5.根据权利要求1所述的防静电除尘玻璃，其特征在于所述第三膜层SiO₂层(23)的厚度为85～100nm。

6.根据权利要求1所述的防静电除尘玻璃，其特征在于所述玻璃基片(1)为长方形，所述的母线(3)连接在所述玻璃基片(1)长边的TiN_XO_y层(21)上。

7.一种制备权利要求1-6任意一项所述的防静电除尘玻璃的方法，其特征在于包括如下步骤：

(1)磁控溅射TiN_XO_y层，交流磁控溅射Ti靶，采用反应溅射，反应气体为Ar:N₂:O₂＝5:3:1，溅射功率30～45KW，玻璃走速为3～5m/min；

(2)连接母线，在TiN_XO_y层上连接母线(3)；

(3)磁控溅射SiN_x层，采用交流磁控溅射旋转硅靶，采用反应溅射硅铝靶Si:Al＝90:10，反应气体为N₂,Ar:N₂＝1.1:1,溅射功率10～14KW,溅射速度3～5m/min；

(4)磁控溅射SiO₂层，采用交流磁控溅射Si靶，采用反应溅射，反应气体为Ar:O₂＝2:1，溅射功率85～100KW，用两个阴极溅射，玻璃走速为4m/min。