[发明专利]晶体管测试电路以及测试方法

说明书

技术领域

本公开涉及晶体管测试领域，具体涉及一种晶体管测试电路以及相应的测试方法。

背景技术

作为电子领域常用的器件，各种晶体管的应用十分广泛。作为电子工业批量生产的产品，诸如目前在液晶显示领域大量使用的各种薄膜晶体管TFT、金属氧化物半导体MOS晶体管等等，通常需要对其各种电特性进行测试，以保证在被应用于电子设备中时，其具有所要求的性能和可靠的质量。目前，在对晶体管进行测试时，通常是先对单个晶体管逐一进行偏置电压特性测试，然后进行电流测试。以MOS晶体管为例，由于一般要求在各种偏置条件下，诸如固定MOS晶体管某一电极的电压，而改变其它两极的电压，来测试其偏置情况，由于每个MOS晶体管的测试需要的时间比较长，加之要测试的晶体管很多，使得测试效率很低，大大降低了后续生产流程的效率。图1示出了一种已知的晶体管测试连接电路，其中，以NMOS晶体管为例，将该NMOS晶体管的漏极连接到电源电压Vd，将其栅极连接到栅线控制信号Vg，而将其源极连接到测试端，根据测试需要，改变施加到相应电极的电压，从而测试其偏置情况。由于一次只能对一个晶体管进行偏置情况的测试，导致测试效率很低。类似地，在对晶体管进行偏置电压特性测试时，一般也是对各个晶体管分别进行测试，以NMOS晶体管为例，将NMOS晶体管的漏极连接到电源电压Vd，将其栅极连接到栅线控制信号Vg，而将其源极浮空，根据测试需要，改变施加到相应电极的电压，从而测试其在源极浮空状态下的偏置电压情况。由于一次只能对一个晶体管进行偏置电压情况的测试，导致测试效率很低。

发明内容

针对以上问题，本公开提出了一种晶体管测试电路以及测试方法，可以同时测试多个晶体管的偏置电压特性。

具体地，根据本公开的一个方面，提出了一种用于晶体管测试电路，用于测试一组晶体管，其中该组晶体管包括至少两个晶体管，所述晶体管测试电路包括：第一电源电压端，连接到各个晶体管的第一极；第一控制信号端，连接到各个晶体管的控制极；以及一组测试端子，包括至少两个测试端子，其中，各个测试端子分别连接到各个晶体管的第二极。

可选地，在上述晶体管测试电路中，在同时测试各个晶体管的偏置电压特性时，第一电源电压端被配置为向各个晶体管的第一极提供第一电压；第一控制信号端被配置为向各个晶体管的控制极提供第一控制信号；各个测试端子被配置为浮空状态。

可选地，在上述晶体管测试电路中，在分别测试各个晶体管的电流特性时，第一电源电压端被配置为向各个晶体管的第一极提供第一电压；第一控制信号端被配置为向各个晶体管的控制极提供第一控制信号；被测试的晶体管对应连接的测试端子被配置为接入测试电压，其它测试端子被配置为浮空状态。

此外，根据本公开提出的另一种方案，通过对包括多个被测试晶体管的晶体管组和选择开关单元的有序控制，可以实现给多个被测试晶体管同时加偏置电压，而在偏置电压作用完成后，再分别测试各个晶体管的电流特性，避免了对多个被测试晶体管逐一加载偏置电压所造成的耗时长的缺点，从而提高了测试效率。

具体地，上述晶体管测试电路还可以包括：选择开关单元，所述选择开关单元包括至少两个选择开关；第二电源电压端，连接到各个选择开关的第一端；第二控制信号端，连接到各个选择开关的控制端；其中，各个选择开关的第二端分别连接各个测试端子。

可选地，在上述晶体管测试电路中，各个选择开关为开关晶体管，各个选择开关的控制端为开关晶体管的栅极，其第一端为开关晶体管的源极或漏极中的一个，其第二端为开关晶体管的源极或漏极中的另一个。

可选地，在上述晶体管测试电路中，在同时测试各个晶体管的偏置电压特性时，第一电源电压端被配置为向各个晶体管的第一极提供第一电压；第二电源电压端被配置向各个选择开关的第一端提供第二电压或者不提供电压；第一控制信号端被配置为向各个晶体管的控制极提供第一控制信号；第二控制信号端被配置为向所连接的各个选择开关提供第二控制信号，开启各个选择开关，从而将各个晶体管的第二极连接到第二电源电压端；以及各个测试端子被配置为浮空状态。

可选地，在上述晶体管测试电路中，在对各个晶体管进行正向偏置测试时所施加的第一控制信号与对各个晶体管进行反向偏置测试时所施加的第一控制信号的电平相反。