[发明专利]磁记录介质及磁存储装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种磁记录介质及磁存储装置。

背景技术

近些年，对于硬盘驱动器(HDD)的大容量化的需求日益增强。作为满足该需要的手段，提出了一种热辅助记录方式，其利用搭载有激光光源的磁头对磁记录介质进行加热并进行记录。

在热辅助记录方式中，由于可通过对磁记录介质进行加热而大幅降低矫顽力，因此对于磁记录介质的磁性层能够使用晶体磁各向异性常数Ku高的材料。因此，能够仍维持热稳定性的同时使磁性粒径的细小化成为可能，并实现1Tbit/inch²级的面密度。作为高Ku磁性材料，提出了L1₀型FePt合金、L1₀型CoPt合金、L1₁型CoPt合金等规则合金等。

另外，在磁性层中，为了将由上述规则合金构成的晶体粒隔断，作为晶界相材料添加有SiO₂、TiO₂等氧化物、或C、BN等。通过使磁性层成为利用晶界相来分离晶体粒的粒状结构，从而能够降低磁粒子间的交换耦合，并能够实现高介质SN比。

在非专利文献1中记载了通过在FePt中添加38％的SiO₂，从而能够将磁性粒径降低至5nm。再有，在该文献中记载了通过进一步将SiO₂的添加量增加至50％，从而能够将将粒径降低至2.9nm。

另外，为了获得具有较高垂直磁各向异性的热辅助磁记录介质，优选使磁性层中的L1₀型规则合金取得良好的(001)取向。对于磁性层的取向，由于能够通过衬底层来控制，因此为了实现取向而需要使用适合的衬底层。

关于衬底层，例如在专利文献1中记载了通过使用MgO衬底层，使得L1₀型FePt磁性层显示出良好的(001)取向。

另外，在专利文献2中记载了通过在具有BCC结构的Cr-Ti-B合金等的晶体粒径控制层上形成作为结晶取向性控制兼低热传导中间层的MgO层，使得L1₀型FePt磁性层显示出更加良好的(001)取向。

在专利文献3的实施例2.3中公开了作为衬底层使用W-5原子％Mo/Cr的例子。

另外，作为下一代记录方式而被关注的其他的技术，还有一种微波辅助磁记录方式。微波辅助磁记录方式是对磁记录介质的磁性层照射微波而使磁化方向从易磁化轴倾斜，使磁性层的磁化局部地反转来记录磁信息的方式。

与热辅助磁记录方式相同，在微波辅助磁记录方式中，作为磁性层的材料，也可以使用由具有L1₀型结晶结构的合金所构成的高Ku磁性材料。因此，能够维持热稳定性的同时实现磁性磁性粒径的细小化。

然而，在使用上述热辅助磁记录方式、或微波辅助磁记录方式的磁记录介质的磁存储装置中，为了进一步实现较高的介质SN比，寻求在磁记录介质中对磁晶粒进行细小化、同时充分降低磁晶粒间的交换结合。作为实现该目的的方法，如上所述较有效的是在磁性层中添加SiO2或C等晶界相材料。

<现有技术文献>

<专利文献>

专利文献1：(日本)特开平11-353648号公报

专利文献2：(日本)特开2009-158054号公报

专利文献3：(日本)特开2012-48792号公报

<非专利文献>

非专利文献1：J.Appl.Phys.104，023904(2008)

发明内容

<本发明所要解决的技术问题>

然而，当作为磁存储装置时为了得到充分的介质SNR时，如果大量添加晶界相材料，则存在包含在磁性层中的具有L1₀型结构的合金的晶体粒(以下也称为“磁性层晶体粒”)，例如FePt合金晶体粒的规则度会劣化，Ku降低的问题。

鉴于上述现有技术中存在的问题，本发明的目的在于提供一种可提高作为磁存储装置时的介质SNR、而不使磁性层中所包含的具有L1₀型结构的合金晶体粒的规则度降低的热辅助磁记录介质、及微波辅助磁记录介质。

<用于解决技术问题的方案>