[发明专利]磁记录介质及磁存储装置

权利要求书

1.一种磁记录介质，其特征在于，包括：

基板；

磁性层，其以具有L1₀型晶体结构的合金为主成分；以及

多个衬底层，其布置在所述基板与所述磁性层之间，

所述多个衬底层包括至少一个结晶衬底层，所述结晶衬底层具有(100)取向，并且包括W来作为主成分、以及选自由Fe、Ni、Co、Hf、Zr、Y、Be、Ce、La、及Sc组成的群组的一种或多种元素。

2.根据权利要求1所述的磁记录介质，其中，

所述至少一个结晶衬底层还包括选自由Mn、Ta、Nb、Ti、Cr、V、及Mo组成的群组的一种或多种元素。

3.根据权利要求1所述的磁记录介质，其中，

选自由Fe、Ni、Co、Hf、Zr、Y、Be、Ce、La、及Sc组成的群组的所述一种或多种元素的总含量在1原子％～40原子％的范围内。

4.根据权利要求1所述的磁记录介质，其中，

所述多个衬底层包括取向控制衬底层，该取向控制衬底层包括选自由Cr、具有BCC(体心立方)结构并以Cr为主成分的合金、以及具有B2结构的合金组成的群组的一种或多种金属或合金，

所述至少一个结晶衬底层设在所述取向控制衬底层上。

5.根据权利要求1所述的磁记录介质，其还包括：

阻挡层，其布置在所述至少一个结晶衬底层与所述磁性层之间，

所述阻挡层由选自由MgO、TiO、NiO、TiN、TaN、HfN、NbN、ZrC、HfC、TaC、NbC、TiC组成的群组的一种或多种化合物制成。

6.根据权利要求1所述的磁记录介质，其中，

所述磁性层包括以具有L1₀型晶体结构的FePt合金或CoPt合金为主成分，并且包括选自由SiO₂、TiO₂、Cr₂O₃、Al₂O₃、Ta₂O₅、ZrO₂、Y₂O₃、CeO₂、MnO、TiO、ZnO、B₂O₃、C、B、及BN组成的群组的一种或多种物质。

7.一种磁存储装置，其特征在于，包括：

磁记录介质；以及

磁头，其将信息写入所述磁记录介质、并从所述磁记录介质读取信息，

所述磁记录介质包括

基板；

磁性层，其以具有L1₀型晶体结构的合金为主成分；以及

多个衬底层，其布置在所述基板与所述磁性层之间，

所述多个衬底层包括至少一个结晶衬底层，所述结晶衬底层具有(100)取向，并且包括W来作为主成分、以及选自由Fe、Ni、Co、Hf、Zr、Y、Be、Ce、La、及Sc组成的群组的一种或多种元素。

8.根据权利要求7所述的磁存储装置，其中，

所述磁记录介质的所述至少一个结晶衬底层还包括选自由Mn、Ta、Nb、Ti、Cr、V、及Mo组成的群组的一种或多种元素。

9.根据权利要求7所述的磁存储装置，其中，

选自由Fe、Ni、Co、Hf、Zr、Y、Be、Ce、La、及Sc组成的群组的所述一种或多种元素的总含量在1原子％～40原子％的范围内。

10.根据权利要求7所述的磁存储装置，其中，

所述磁记录介质的所述多个衬底层包括取向控制衬底层，该取向控制衬底层包括选自由Cr、具有BCC(体心立方)结构并以Cr为主成分的合金、以及具有B2结构的合金组成的群组的一种或多种金属或合金，

所述至少一个结晶衬底层设在所述取向控制衬底层上。

11.根据权利要求7所述的磁存储装置，其中，

所述磁记录介质还包括阻挡层，其布置在所述至少一个结晶衬底层与所述磁性层之间，

所述阻挡层由选自由MgO、TiO、NiO、TiN、TaN、HfN、NbN、ZrC、HfC、TaC、NbC、TiC组成的群组的一种或多种化合物制成。

12.根据权利要求7所述的磁存储装置，其中，

所述磁记录介质的所述磁性层包括以具有L1₀型晶体结构的FePt合金或CoPt合金为主成分，并且包括选自由SiO₂、TiO₂、Cr₂O₃、Al₂O₃、Ta₂O₅、ZrO₂、Y₂O₃、CeO₂、MnO、TiO、ZnO、B₂O₃、C、B、及BN组成的群组的一种或多种物质。