[发明专利]CDM静电保护电路

权利要求书

1.一种CDM静电保护电路，其特征在于，包括：

输入/输出引脚、电源输出端、接地端以及功能单元，所述功能单元分别与所述输入/输出引脚、所述电源输出端和所述接地端连接；

第一级保护单元，所述第一级保护单元分别与所述电源输出端和所述接地端连接；

第二级保护单元，所述第二级保护单元分别与所述电源输出端和所述接地端连接，并且，所述第一级保护单元与所述第二级保护单元之间串联有一电感线圈；以及

钳位电路，所述钳位电路与所述电源输出端和所述接地端连接。

2.如权利要求1所述的CDM静电保护电路，其特征在于，所述电感线圈为环形结构。

3.如权利要求2所述的CDM静电保护电路，其特征在于，所述电感线圈为金属线圈或多晶硅线圈。

4.如权利要求2所述的CDM静电保护电路，其特征在于，所述电感线圈位于所述功能单元和所述输入/输出引脚之间。

5.如权利要求4所述的CDM静电保护电路，其特征在于，所述电感线圈位于所述输入/输出引脚下方，贴近所述输入/输出引脚。

6.如权利要求1-5中任意一项所述的CDM静电保护电路，其特征在于，所述第一级保护单元包括第一PMOS晶体管和第一NMOS晶体管，所述第一PMOS晶体管和所述第一NMOS晶体管的漏极相连。

7.如权利要求6所述的CDM静电保护电路，其特征在于，所述第一PMOS晶体管的栅极通过电阻接电源输出端，所述第一NMOS晶体管的栅极通过电阻接地。

8.如权利要求6所述的CDM静电保护电路，其特征在于，所述第二级保护单元包括第二PMOS晶体管和第二NMOS晶体管，所述第二PMOS晶体管和所述第二NMOS晶体管的漏极相连。

9.如权利要求6所述的CDM静电保护电路，其特征在于，所述第二PMOS晶体管的栅极和源极接电源输出端，所述第二NMOS晶体管的栅极和源极接地。

10.如权利要求1-5中任意一项所述的CDM静电保护电路，其特征在于，所述第一级保护单元包括第一NMOS晶体管，所述第一NMOS晶体管的漏极接所述输入/输出引脚。

11.如权利要求10所述的CDM静电保护电路，其特征在于，所述第二级保护单元包括第二NMOS晶体管，所述第二NMOS晶体管的漏极接所述输入/输出引脚。

12.如权利要求1所述的CDM静电保护电路，其特征在于，所述钳位电路包括电阻、电容和NMOS晶体管，所述NMOS晶体管的栅极连接所述电阻和所述电容。

13.如权利要求1所述的CDM静电保护电路，其特征在于，所述功能单元包括PMOS晶体管和NMOS晶体管，所述PMOS晶体管和所述NMOS晶体管的栅极相连，所述栅极连接所述输入/输出引脚。