[发明专利]一种提高皇冠型图形化衬底均匀性的套刻方法有效

专利信息
申请号: 201410554907.2 申请日: 2014-10-17
公开(公告)号: CN104300063A 公开(公告)日: 2015-01-21
发明(设计)人: 韩沈丹 申请(专利权)人: 西安神光安瑞光电科技有限公司
主分类号: H01L33/22 分类号: H01L33/22;H01L33/00
代理公司: 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 代理人: 胡乐
地址: 710100 陕西*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 提高 皇冠 图形 衬底 均匀 方法
【权利要求书】:

1.一种提高皇冠型图形化衬底均匀性的套刻方法,其特征在于:采用了两套光刻板,其中第一光刻板为圆面,第一光刻板的直径记为a,第二光刻板为圆环,圆环的内环直径记为b,要求b>a,且b>光刻机的分辨率;该套刻方法主要包括以下步骤:

(1)在抛光后的衬底表面旋涂光刻胶;

(2)选择第一光刻板,使用光刻机对涂胶后的衬底表面进行曝光并显影;

(3)使用ICP刻蚀显影后的带胶衬底,使衬底本体的刻蚀深度达到0.5μm-1.0μm时停止;

(4)将刻蚀后的衬底酸洗去胶,甩干;

(5)在衬底表面再次旋涂光刻胶;选择第二光刻板,使第二光刻板与第一光刻板的图形圆心重合,使用光刻机对涂胶后的衬底表面进行再次曝光并显影;

(6)使用ICP再次对带胶衬底进行刻蚀,得到目标尺寸的皇冠型图形衬底;

(7)对制得的皇冠型图形化衬底进行化学清洗。

2.根据权利要求1所述的提高皇冠型图形化衬底均匀性的套刻方法,其特征在于:所述光刻机为步进式光刻机。

3.根据权利要求1所述的提高皇冠型图形化衬底均匀性的套刻方法,其特征在于:步骤(2)中曝光能量选择80-160ms,焦距-0.5-0.5;步骤(5)中曝光能量选择150-200ms,焦距-0.5-0.5。

4.根据权利要求1所述的提高皇冠型图形化衬底均匀性的套刻方法,其特征在于:步骤(2)和步骤(5)的最后还对显影后的带胶衬底于130℃下烘烤5-10min。

5.根据权利要求1所述的提高皇冠型图形化衬底均匀性的套刻方法,其特征在于:步骤(4)采用的酸洗液为硫酸与双氧水的混合溶液,以质量分数为98%的浓硫酸和30%的双氧水计,浓硫酸与双氧水的体积比为3:1-4:1。

6.根据权利要求1所述的提高皇冠型图形化衬底均匀性的套刻方法,其特征在于:所述衬底为蓝宝石衬底;

步骤(3)和(6)的刻蚀过程,上电极功率2000-2400W,下电极功率150-550W,腔室压力1.5-4mT,刻蚀气体为BCl3与CHF3的混合气体,其中CHF3占5-27%,温度-20-20℃。

7.根据权利要求1所述的提高皇冠型图形化衬底均匀性的套刻方法,其特征在于:两次旋涂光刻胶的厚度均在1.0-2.0μm,但第二次匀胶厚度大于第一次衬底的刻蚀深度。

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