[发明专利]一种制备TSV立体集成RDL电镀掩膜的厚胶工艺有效

申请号：	201410554795.0	申请日：	2014-10-17
公开（公告）号：	CN104332393A	公开（公告）日：	2015-02-04
发明（设计）人：	张巍;单光宝;袁海;刘松	申请（专利权）人：	中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所
主分类号：	H01L21/02	分类号：	H01L21/02;H01L21/60;G03F7/20
代理公司：	西安通大专利代理有限责任公司 61200	代理人：	徐文权
地址：	710000 ***	国省代码：	陕西;61
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摘要：
搜索关键词：	一种制备 tsv 立体集成 rdl 电镀工艺
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【权利要求书】：

1.一种制备TSV立体集成RDL电镀掩膜的厚胶工艺，其特征在于：包括如下步骤，首先在TSV盲孔电镀晶圆的绝缘层表面依次溅射Ti粘附层和Cu种子层；接着采用两次涂胶和两次烘焙的方式制备厚胶膜，一次低速涂覆厚层光刻胶，二次高速涂覆薄层光刻胶，两次烘焙的时间和温度依据上下两层胶层的厚度比例而变化，底层胶层累计烘焙时间和表层胶层烘焙时间之比为两者厚度之比；然后进行曝光、显影和坚膜工艺制备RDL电镀掩膜。

2.根据权利要求1所述的一种制备TSV立体集成RDL电镀掩膜的厚胶工艺，其特征在于：一次低速涂覆厚层光刻胶包括如下三个步骤，

步骤1，转速控制为400rpm-600rpm，时间为4s-8s；

步骤2，控制最低转速为1000rpm，旋涂时间为30s-40s；

步骤3，步骤2旋涂之后，在100℃±5℃的温度下进行一次烘焙，时间3-4min。

3.根据权利要求2所述的一种制备TSV立体集成RDL电镀掩膜的厚胶工艺，其特征在于：在一次烘焙后1min进行二次高速涂覆薄层光刻胶。

4.根据权利要求1所述的一种制备TSV立体集成RDL电镀掩膜的厚胶工艺，其特征在于：二次高速涂覆薄层光刻胶包括如下四个步骤，

步骤a，转速控制为200rpm-500rpm，时间为3s-5s；

步骤b，转速为800rpm-1500rpm，时间为3s-5s；

步骤c，转速为3000rpm-4000rpm，旋涂时间为30s-40s；

步骤d，步骤c旋涂之后，在100℃±5℃的温度下进行二次烘焙，时间5-8min。

5.根据权利要求1、2或4所述的一种制备TSV立体集成RDL电镀掩膜的厚胶工艺，其特征在于：所述的光刻胶采用AZ4620正性光刻胶。

6.根据权利要求1所述的一种制备TSV立体集成RDL电镀掩膜的厚胶工艺，其特征在于：曝光采用低真空模式，时间为70s-80s；显影的时间为140s-165s。