[发明专利]用于栅控二极管的建模方法和模型电路在审
| 申请号： | 201410554708.1 | 申请日： | 2014-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN105512353A | 公开（公告）日： | 2016-04-20 |
| 发明（设计）人： | 甘正浩;张安 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 二极管 建模 方法 模型 电路 | ||
1.一种用于栅控二极管的模型电路，其特征在于，所述模型电 路包括二极管、电阻以及电流源，其中，
所述二极管与所述电阻串联连接在正极和负极之间；以及
所述电流源与所述二极管和所述电阻并联连接在所述正极和所 述负极之间。
2.如权利要求1所述的模型电路，其特征在于，所述电流源为 压控电流源。
3.如权利要求2所述的模型电路，其特征在于，所述压控电流 源中的电流以指数方式依赖于所述正极与所述负极之间的电压。
4.如权利要求3所述的模型电路，其特征在于，所述压控电流 源中的电流用等式表示为：
其中，W是扩散宽度，Nf是指状分支数目，na、nb、apre、bpre、 α、β以及Φb是被提取的参数，V是所述正极与所述负极之间的电压， T是温度，q是电子电荷，k是玻尔兹曼常数。
5.如权利要求1所述的模型电路，其特征在于，所述二极管和 所述电阻与常规二极管的等效电路模型中的二极管和电阻相同。
6.如权利要求5所述的模型电路，其特征在于，所述常规二极 管为浅沟槽隔离二极管。
7.如权利要求1所述的模型电路，其特征在于，所述电路还包 括开关，所述开关用于控制所述电流源所在的支路的通断。
8.一种用于栅控二极管的建模方法，其特征在于，所述建模方 法包括：
建立常规二极管的等效电路模型，其中所述等效电路模型包括二 极管和电阻，所述二极管与所述电阻串联连接在正极和负极之间；以 及
添加电流源并使所述电流源与所述二极管和所述电阻并联连接 在所述正极和所述负极之间。
9.如权利要求8所述的建模方法，其特征在于，所述电流源为 压控电流源。
10.如权利要求8所述的建模方法，其特征在于，所述添加电流 源主要在当所述栅控二极管在反向偏压下时起作用。
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