[发明专利]半导体衬底、器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201410553521.X | 申请日： | 2014-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN105575877A | 公开（公告）日： | 2016-05-11 |
| 发明（设计）人： | 许静;闫江;唐兆云;王红丽;唐波;徐烨锋;李春龙;杨萌萌;陈邦明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人： | 党丽;吴兰柱 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 衬底 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体衬底的制造方法，其特征在于，包括：
提供体衬底；
刻蚀衬底，以形成有源区和沟槽，有源区的表面上形成有掩膜层；
继续刻蚀衬底，以在有源区下形成开口；
填充沟槽及开口，以形成隔离和绝缘层。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，刻蚀衬底，以形成 有源区和沟槽，有源区的表面上形成有掩膜层的步骤包括：
在衬底上形成第一掩膜层；
刻蚀衬底，以形成有源区和沟槽；
在有源区的侧壁上形成第二掩膜层的侧墙。
3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，体衬底为体硅衬底， 继续刻蚀衬底，以在有源区下形成开口的步骤包括：先进行各向同性的干 法刻蚀；而后至少进行一次选择性刻蚀，选择性刻蚀的步骤包括：进行带 角度的锗离子注入，并选用对锗具有高选择性的硅锗刻蚀剂进行湿法腐蚀。
4.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，湿法刻蚀的刻蚀剂为 HF、H2O2、CH3COOH和H2O的混合溶液。
5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在填充沟槽之前， 还包括步骤：去除有源区侧壁上的掩膜层；进行氧化工艺。
6.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，采用HARP、TEOS 或HDP氧化物填充沟槽及开口，以形成隔离和绝缘层。
7.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：
利用权利要求1-6中任一项形成半导体衬底；
去除有源区的上表面上的掩膜层；
在有源区上形成器件结构。
8.一种半导体衬底，其特征在于，包括：
体衬底；
体衬底中的有源区；
有源区间的沟槽中的隔离；
有源区端部下、与隔离相接的绝缘层。
9.根据权利要求8所述的半导体衬底，其特征在于，还包括：氧化物 层，位于衬底与隔离及绝缘层之间。
10.一种半导体器件，其特征在于，包括：权利要求8或9所述的半 导体衬底；以及，有源区上的器件结构。
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