[发明专利]一种LED外延片加工工艺

说明书

技术领域

本发明涉及LED外延片加工技术领域，尤其涉及一种LED外延片加工工艺。

背景技术

LED外延片生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片上，气态 物质InGaAlP有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。目前LED外延 片生长技术主要采用有机金属化学气相沉积方法。LED外延片衬底材料是半导体 照明产业技术发展的基石。不同的衬底材料，需要不同的LED外延片生长技术、 芯片加工技术和器件封装技术，衬底材料决定了半导体照明技术的发展路线。 但是，传统的LED外延片加工工艺过程复杂，成本较高，残次率较高。

发明内容

本发明的目的在于通过一种LED外延片加工工艺，来解决以上背景技术部 分提到的问题。

为达此目的，本发明采用以下技术方案：

一种LED外延片加工工艺，其包括如下步骤：

S101、固定：将单晶硅棒固定在加工台上；

S102、切片：将单晶硅棒切成薄硅片；

S103、退火：双工位热氧化炉经氮气吹扫后，用红外加热至400-550℃，硅 片表面和氧气发生反应，使硅片表面形成二氧化硅保护层；

S104、倒角：将退火的硅片进行修整成圆弧形；

S105、分档检测；

S106、研磨：用磨片剂除去切片和轮磨所造的锯痕及表面损伤层；

S107、清洗：通过有机溶剂，并结合超声波清洗技术去除硅片表面的有机 杂质；

S108、RCA清洗：通过多道清洗去除硅片表面的颗粒物质和金属离子。

本发明提出的LED外延片加工工艺不仅工序简单，对设备要求低，而且生 产出的LED外延片残次率较低。

附图说明

图1为本发明实施例提供的LED外延片加工工艺流程图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作进一步说明。可以理解的是，此处所描 述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明 的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部内容。

请参照图1所示，图1为本发明实施例提供的LED外延片加工工艺流程图。

本实施例中LED外延片加工工艺具体包括如下步骤：

S101、固定：将单晶硅棒固定在加工台上。

S102、切片：将单晶硅棒切成具有精确几何尺寸的薄硅片。此过程中产生 的硅粉采用水淋，产生废水和硅渣。

S103、退火：双工位热氧化炉经氮气吹扫后，用红外加热至400-550℃，硅 片表面和氧气发生反应，使硅片表面形成二氧化硅保护层。

S104、倒角：将退火的硅片进行修整成圆弧形，防止硅片边缘破裂及晶格 缺陷产生，增加磊晶层及光阻层的平坦度。此过程中产生的硅粉采用水淋，产 生废水和硅渣。

S105、分档检测：为保证硅片的规格和质量，对其进行检测。此处会产生 废品。

S106、研磨：用磨片剂除去切片和轮磨所造的锯痕及表面损伤层，有效改 善单晶硅片的曲度、平坦度与平行度，达到一个抛光过程可以处理的规格。此 过程产生废磨片剂。

S107、清洗：通过有机溶剂的溶解作用，结合超声波清洗技术去除硅片表 面的有机杂质。此工序产生有机废气和废有机溶剂。

S108、RCA清洗：通过多道清洗去除硅片表面的颗粒物质和金属离子。

本发明的技术方案不仅工序简单，对设备要求低，而且生产出的LED外延 片残次率较低。

注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员 会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进 行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽 然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以 上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例， 而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。