[发明专利]一种集成芯片参考电压校准方法、装置及使用方法

说明书

技术领域

本发明实施例涉及电子电路领域，具体涉及一种集成芯片参考电压校准 方法、装置及使用方法。

背景技术

参考基准电压(Voltagereference，VREF)在集成芯片(integratedcircuit， IC)的模拟电路工作上起到重要的作用，其应用比较广泛，包括：音频ADC， DAC，开关机电路，充电电路等等，例如带充电电路的芯片控制充电的过程， 假若它的VREF与理论标准值相差过大，就会导致无法正常充电。由于每颗 出产的芯片在设计产生verf的基准电路上都会存在着生产工艺上的偏差，因 而会导致并非所有IC实际产生的VREF电压都在可接受的精度范围之内，因 此需要对IC的VREF进行校正操作。

现有IC的VREF的校正方案，主要是IC外部校正的方法，这种方法需 要在IC上有一个VREF输入管脚，由所工作的系统外部增加一个精准电源以 及一些外围电子元器件来给IC的VREF输入管脚提供一个标准的输入电压， 以组成IC校正环境，然后再对IC的VREF进行校正。这种方法能够比较精 确地对IC的VREF进行校正，也是现有很多IC生成商所采用的校正方案。

然而由于外部需要增加精准电源和电子元器件，这不仅会导致芯片所在 系统的生产成本及校正工时的增加，也给实际产品的调试带来不便，调试不 够灵活；另外从芯片设计的角度看，芯片还需要另外封装出一些端口来让精 准电压输入，这也会增加芯片的设计和制造成本。

发明内容

本发明实施例提供了一种集成芯片参考电压校准方法、装置及使用方法， 通过在IC内部增设电子熔丝模块，并对电子熔丝模块进行读写操作以实现对 IC的参考电压进行校准的方式，将现有的外部校准方案改成了内部校准方案， 能够较大地降低IC设计、测试校准及生产制造的成本。

本发明实施例提供的集成芯片参考电压校准装置，包括IC，还包括用于 调节所述IC参考电压的电子熔丝模块；

所述电子熔丝模块安装在所述IC内部；

所述电子熔丝模块包括若干熔断位；

所述若干熔断位的组合配置用于实现对所述IC参考电压的调节。

可选的，

所述电子熔丝模块包括四个熔断位。

本发明实施例提供的集成芯片参考电压校准方法，用于校准权利要求上 述的集成芯片参考电压校准装置的参考电压，包括：

在IC验证测试阶段，根据电子熔断模块的工作需要，搭建好用于给IC 内部校准参考电压的电路；

S1、获取所述IC的外部校准参考电压；

S2、将所述外部校准参考电压与理论标准值比较，得到调节值；

S3、根据所述调节值及电子熔丝模块的档位校准关系得到所述电子熔丝 模块内熔断位的档位组合值；

S4、向所述电子熔丝模块写入所述档位组合值，完成对所述IC自身产生 的参考电压的校准。

可选的，

所述步骤S1包括：

S11、向IC的数模转换模块输入标准电压；

S12、读取所述数模转换模块的电压值，并根据数模转换计算关系得到所 述IC的参考电压。

可选的，

所述电子熔丝模块的校准关系包括所述电子熔丝模块内熔断位的校准真 值表。

本发明实施例提供的集成芯片参考电压校准后的使用方法，用在上述的 集成芯片参考电压校准方法之后，包括：

K1、对IC进行上电；

K2、根据电子熔丝模块的工作时序要求读取档位组合值；

K3、完成对所述IC参考电压的校准。

可选的，

所述步骤K1之后及所述步骤K2之前还包括：

获取所述IC的参考电压；

判断所述参考电压是否与所述IC进行参考电压校准时的参考电压一致， 若是执行步骤K2，否则对所述IC的参考电压进行重新校准。

可选的，

所述参考电压与所述IC进行参考电压校准时的参考电压不一致时，所述 IC发出提醒信号。