[发明专利]一种集成芯片参考电压校准方法、装置及使用方法

权利要求书

1.一种集成芯片参考电压校准装置，包括IC，其特征在于，还包括用于 调节所述IC参考电压的电子熔丝模块；

所述电子熔丝模块安装在所述IC内部；

所述电子熔丝模块包括若干熔断位；

所述若干熔断位的组合配置用于实现对所述IC参考电压的调节。

2.根据权利要求1所述的集成芯片参考电压校准装置，其特征在于，所 述电子熔丝模块包括四个熔断位。

3.一种集成芯片参考电压校准方法，用于校准权利要求1或2所述的集 成芯片参考电压校准装置的参考电压，其特征在于，包括：

在IC验证测试阶段，根据电子熔断模块的工作需要，搭建好用于给IC 内部校准参考电压的电路；

S1、获取所述IC的外部校准参考电压；

S2、将所述外部校准参考电压与理论标准值比较，得到调节值；

S3、根据所述调节值及电子熔丝模块的档位校准关系得到所述电子熔丝 模块内熔断位的档位组合值；

S4、向所述电子熔丝模块写入所述档位组合值，完成对所述IC自身产生 的参考电压的校准。

4.根据权利要求3所述的集成芯片参考电压校准方法，其特征在于，所 述步骤S1包括：

S11、向IC的数模转换模块输入标准电压；

S12、读取所述数模转换模块的电压值，并根据数模转换计算关系得到所 述IC的参考电压。

5.根据权利要求3或4所述的集成芯片参考电压校准方法，其特征在于， 所述电子熔丝模块的校准关系包括所述电子熔丝模块内熔断位的校准真值 表。

6.一种集成芯片参考电压校准后的使用方法，用在权利要求3至5中任 一项所述的集成芯片参考电压校准方法之后，其特征在于，包括：

K1、对IC进行上电；

K2、根据电子熔丝模块的工作时序要求读取档位组合值；

K3、完成对所述IC参考电压的校准。

7.根据权利要求6所述的集成芯片参考电压校准后的使用方法，其特征 在于，所述步骤K1之后及所述步骤K2之前还包括：

获取所述IC的参考电压；

判断所述参考电压是否与所述IC进行参考电压校准时的参考电压一致， 若是执行步骤K2，否则对所述IC的参考电压进行重新校准。

8.根据权利要求7所述的集成芯片参考电压校准后的使用方法，其特征 在于，所述参考电压与所述IC进行参考电压校准时的参考电压不一致时，所 述IC发出提醒信号。