[发明专利]一种产品制作过程中硅片表面的检测方法及系统在审
申请号: | 201410544833.4 | 申请日: | 2014-10-15 |
公开(公告)号: | CN104319246A | 公开(公告)日: | 2015-01-28 |
发明(设计)人: | 谷士斌;张林;田小让;何延如;赵冠超;杨荣;孟原;郭铁 | 申请(专利权)人: | 新奥光伏能源有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 065001 河北省*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 产品 制作 过程 硅片 表面 检测 方法 系统 | ||
技术领域
本发明涉及硅片表面检测技术领域,尤其涉及一种产品制作过程中硅片表面的检测方法及系统。
背景技术
在太阳能电池等产品的制作工艺中,硅片的表面检测是非常重要的一环。因为硅片非常薄而且非常脆,在生产的过程中经常会出现崩边、缺角、裂痕等情况。在产品的制作工程中硅片表面也经常会出现液体残留、丝网断栅、成膜不均匀等缺陷。存在这些缺陷的硅片都是不合格的,硅片表面是否合格直接影响到产品制作过程中后面工序的制作。因此为防止不合格的硅片进入后续流程,需要对硅片的进行表面检测。现有技术中硅片表面的检测方法,是将检测合格的硅片进行产品制作过程中的下一个工序处理;将检测不合格的硅片进行废弃处理。这种硅片表面的检测方法的废弃率较高。
发明内容
本发明实施例的目的是提供一种产品制作过程中硅片表面的检测方法及系统,用于解决产品制作过程中硅片表面的检测方法中存在的硅片废弃率比较高的问题。
本发明实施例的目的是通过以下技术方案实现的:
一种产品制作过程中硅片表面的检测方法,包括:
获取用于制作产品的硅片的表面图像;
根据所述表面图像确定所述硅片的表面类型;
如果所述表面类型为无缺陷型,将所述硅片进行所述产品制作过程的下一步工序处理;
如果所述表面类型为不可修复缺陷型,将所述硅片进行废弃处理;
如果所述表面类型为可修复缺陷型,将所述硅片进行修复。
较佳地,获取用于制作产品的硅片的表面图像,包括:
通过扫描获取用于制作产品的硅片的表面图像。
较佳地,获取用于制作产品的硅片的表面图像,根据所述表面图像确定所述硅片的表面类型,包括:
获取所述硅片的一个表面的表面图像;
根据所述一个表面的表面图像确定所述一个表面的表面类型;
如果所述一个表面的表面类型是不可修复缺陷型,确定所述硅片的表面类型为不可修复型;
如果所述一个表面的表面类型是可修复型或者无缺陷型,获取所述硅片的另一个表面的表面图像;
根据所述另一个表面的表面图像确定所述另一个表面的表面类型;
如果所述另一个表面的表面类型为不可修复缺陷型,确定所述硅片的表面类型为不可修复型;
如果两个表面的表面类型均为无缺陷型,确定所述硅片的表面类型为无缺陷型;
如果至少一个表面的表面类型为可修复缺陷型,确定所述硅片的表面类型为可修复型。
较佳地,获取所述硅片的一个表面的表面图像,包括:
使用第一图像采集装置获取所述硅片的一个表面的表面图像;
获取所述硅片的另一个表面的表面图像,包括:
使用与所述第一图像采集装置相对设置的第二图像采集装置获取所述硅片的另一个表面的表面图像。
较佳地,根据所述表面图像确定所述硅片的表面类型,包括:
如果根据所述表面图像确定所述硅片的表面完整且无液体残留,确定所述硅片的表面类型为无缺陷型;如果根据所述表面图像确定所述硅片的表面完整,但存在液体残留,确定所述硅片的表面类型为可修复型;如果根据所述表面图像确定所述硅片的表面不完整,确定所述硅片的表面类型为不可修复型;或者,
如果根据所述表面图像确定所述硅片的表面完整、成膜均匀且完整,确定所述硅片的表面类型为无缺陷型;如果根据所述表面图像确定所述硅片的表面完整,但薄膜材料部分区域没有成膜或者成膜不均匀,确定所述硅片的表面类型为可修复型;如果根据所述表面图像确定所述硅片的表面不完整,确定所述硅片的表面类型为不可修复型;或者,
如果根据所述表面图像确定所述硅片的表面完整,且丝网断点数少于N1个点,确定所述硅片的表面类型为无缺陷型;如果根据所述表面图像确定所述硅片的表面完整,丝网断点数在N1~N2之间,确定所述硅片的表面类型为可修复型;如果根据所述表面图像确定所述硅片的表面不完整和/或丝网断点数大于N2,确定所述硅片的表面类型为不可修复型,N2大于N1,且均为整数。
一种产品制作过程中硅片表面的检测系统,包括:
图像采集子系统,用于获取用于制作产品的硅片的表面图像;
分类处理装置,用于根据所述表面图像确定所述硅片的表面类型;如果所述表面类型为无缺陷型,将所述硅片传送到所述产品制作过程的下一步工序的处理装置;如果所述表面类型为不可修复缺陷型,将所述硅片传送到废弃处理装置;如果所述表面类型为可修复缺陷型,将所述硅片传送到修复装置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造