[发明专利]一种Pt薄膜热敏电阻的制备方法

说明书

技术领域

    本发明属于电子元件的制备领域，尤其涉及一种Pt薄膜热敏电阻的制备方法。 

背景技术

    随着科学技术的不断进步，对于电子产品质量的答复提升，对于电子元件的制备工业也提出了新的要求。Pt薄膜热敏电阻具有尺寸小，响应快，易于与集成电路相匹配的特点，且测温范围宽、精度高。在工业、国防和科学研究工作中有广泛的应用。Pt薄膜热敏电阻采用薄膜技术生产。热敏电阻的基底材料可以采用三氧化二铝陶瓷，二氧化硅，玻璃，微晶玻璃等。薄膜的制备工艺可以采用真空蒸发镀膜法，蒸发源通常有电阻加热蒸发源，电子束蒸发源或感应加热式蒸发源。真空蒸发镀膜工艺不能有效利用靶材，在大量生产时效率不高。 

发明内容

本发明旨在解决上述问题，提供一种Pt薄膜热敏电阻的制备方法。 

一种Pt薄膜热敏电阻的制备方法，其特征在于包括如下步骤：（1）对基片进行处理，首先用纯净水冲洗，用纱布擦净基片表面，在室温下用铬酸洗液浸泡，再用纯净水冲洗，并用酒精、丙酮涤荡后，用四氯化碳、丙酮和酒精先后各两次超声波清洗10 min；（2）采用溅射镀膜的方式在基片上进行镀膜处理；（3）在步骤（2）完成镀膜的薄膜上设置细长条折线。 

本发明所述的一种Pt薄膜热敏电阻的制备方法，其特征在于所述步骤（1）中的基片选用微晶玻璃，表面粗糙度Ra为0.05 μm。 

本发明所述的一种Pt薄膜热敏电阻的制备方法，其特征在于所述步骤（2）中的靶材使用高纯铂板。 

本发明所述的一种Pt薄膜热敏电阻的制备方法，其特征在于所述步骤（1）中所述的浸泡时间为6h。 

本发明所述的一种Pt薄膜热敏电阻的制备方法，其特征在于所述步骤（2）所述溅射时间为3-5h。 

本发明所述的一种Pt薄膜热敏电阻的制备方法，其特征在于所述步骤（2）的工作电压为2kV，工作温度为200℃。 

本发明所述的Pt薄膜热敏电阻的制备方法，通过对其工艺的改进，采用溅射镀膜的方式可使膜与基片的附着力增强，膜的纯度高，重复性好，成膜速率高，可以在较低的温度下制备薄膜。本发明所述Pt薄膜热敏电阻的制备方法操作简单，易于推广。 

具体实施方式

一种Pt薄膜热敏电阻的制备方法，包括如下步骤：（1）对基片进行处理，首先用纯净水冲洗，用纱布擦净基片表面，在室温下用铬酸洗液浸泡，再用纯净水冲洗，并用酒精、丙酮涤荡后，用四氯化碳、丙酮和酒精先后各两次超声波清洗10 min；（2）采用溅射镀膜的方式在基片上进行镀膜处理，用荷能粒子轰击靶材，使靶材表面原子获得足够的能量从表面逸出。高能量的溅射原子淀积到基片上形成薄膜，可使膜与基片的附着力增强，膜的纯度高，重复性好，成膜速率高，可以在较低的温度下制备薄膜。（3）在步骤（2）完成镀膜的薄膜上设置细长条折线。 

本发明所述的一种Pt薄膜热敏电阻的制备方法，所述步骤（1）中的基片选用微晶玻璃，要求其目检无划痕，表面粗糙度Ra为0.05 μm，以保证薄膜的连续性。所述步骤（2）中的靶材使用高纯铂板，金属铂具有正的温度系数，物理化学性质稳定，阻温系数的线性较好，可以在–190~+630℃范围内有较高的测量精度，常作为测量的基准。阻温系数α_R = (3 850±10)×10^-6。所述步骤（1）中所述的浸泡时间为6h。所述步骤（2）所述溅射时间为3-5h。所述步骤（2）的工作电压为2kV，工作温度为200℃。基片温度的高低对膜的很多性能都有影响。如膜的附着力、致密性、晶粒尺寸、表面态等。理论上和本项研究试验都表明，溅射前对基片加热一定时间，有利于清除基片表面吸附的水气和杂质，可明显提高膜的附着力。溅射成膜时，适当提高基片温度，有利于薄膜材料原子和基片原子之间的相互扩散，并且会加速化学反应。这有利于形成扩散附着和通过中间层附着，提高了膜的附着力。从薄膜生长的角度看，适当提高基片的温度可使淀积原子保持一定的能量和沿基片表面的速度分量，有利于淀积原子沿基片表面的迁移运动，增大淀积原子的聚集作用，利于晶核沿基片表面方向的生长，尽快形成连续膜，使膜表面平整光亮，使晶粒长大。