[发明专利]一种Pt薄膜热敏电阻的制备方法在审
| 申请号： | 201410544191.8 | 申请日： | 2014-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN104332261A | 公开（公告）日： | 2015-02-04 |
| 发明（设计）人： | 张俊 | 申请（专利权）人： | 陕西易阳科技有限公司 |
| 主分类号： | H01C17/12 | 分类号： | H01C17/12 |
| 代理公司： | 西安亿诺专利代理有限公司 61220 | 代理人： | 刘斌 |
| 地址： | 710075 陕西省西安*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 pt 薄膜 热敏电阻 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种Pt薄膜热敏电阻的制备方法，其特征在于包括如下步骤：（1）对基片进行处理，首先用纯净水冲洗，用纱布擦净基片表面，在室温下用铬酸洗液浸泡，再用纯净水冲洗，并用酒精、丙酮涤荡后，用四氯化碳、丙酮和酒精先后各两次超声波清洗10 min；（2）采用溅射镀膜的方式在基片上进行镀膜处理；（3）在步骤（2）完成镀膜的薄膜上设置细长条折线。
2.如权利要求1所述的一种Pt薄膜热敏电阻的制备方法，其特征在于所述步骤（1）中的基片选用微晶玻璃，表面粗糙度Ra为0.05 μm。
3.如权利要求1所述的一种Pt薄膜热敏电阻的制备方法，其特征在于所述步骤（2）中的靶材使用高纯铂板。
4.如权利要求1所述的一种Pt薄膜热敏电阻的制备方法，其特征在于所述步骤（1）中所述的浸泡时间为6h。
5.如权利要求1所述的一种Pt薄膜热敏电阻的制备方法，其特征在于所述步骤（2）所述溅射时间为3-5h。
6.如权利要求1所述的一种Pt薄膜热敏电阻的制备方法，其特征在于所述步骤（2）的工作电压为2kV，工作温度为200℃。
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