[发明专利]一种麻醉机功率MOSFET容性负载的保护电路

权利要求书

1.一种麻醉机功率MOSFET容性负载的保护电路，其特征在于，包括：变 速控制电路和逻辑控制电路；

所述变速控制电路的输入端连接供电电源，所述变速控制电路的输出端连 接用于控制麻醉机供电电源的功率MOSFET，所述功率MOSFET连接容性负载；

所述逻辑控制电路的输入端连接外界的使能信号源用于接收使能信号，所 述逻辑控制电路的输出端通过所述逻辑控制电路连接功率MOSFET，用于控制功 率MOSFET的导通和截止；

当所述逻辑控制电路控制所述功率MOSFET导通时，所述变速控制电路用于 控制功率MOSFET软开启输出特性；当所述逻辑控制电路控制所述功率MOSFET 截止时，所述变速控制电路用于控制功率MOSFET极速关闭麻醉机供电电源。

2.根据权利要求1所述的一种麻醉机功率MOSFET容性负载的保护电路， 其特征在于，所述变速控制电路包括：电阻R1、电阻R2、电阻R3、三极管Q2、 稳压二极管D1、电容C1、及电阻R4，所述电阻R1的一端、电容C1的一端、 及功率MOSFET的源极为所述变速控制电路的输入端用于连接所述供电电源，所 述电阻R1的另一端分别连接三极管Q2的发射极、电阻R2的一端、稳压二极管 D1的负极，所述三极管Q2的基极分别连接电阻R2的另一端、电阻R3的一端， 所述稳压二极管D1的正极分别连接电容C1的另一端、电阻R4的一端、三极管 Q2的集电极、及所述功率MOSFET的栅极，所述功率MOSFET的漏极连接所述容 性负载，所述电阻R3的另一端连接所述逻辑控制电路的输出端，所述电阻R4 的另一端接地。

3.根据权利要求2所述的一种麻醉机功率MOSFET容性负载的保护电路， 其特征在于，所述逻辑控制电路包括：电阻R5、电阻R6、三极管Q3，所述电 阻R5的一端为所述逻辑控制电路的输入端用于连接外界的使能信号源，所述电 阻R5的另一端分别连接电阻R6的一端、及三极管Q3的基极，所述三极管Q3 的集电极为所述逻辑控制电路的输出端，所述电阻R6的另一端连接三极管Q3 的发射极且接地。

4.根据权利要求3所述的一种麻醉机功率MOSFET容性负载的保护电路， 其特征在于，所述功率MOSFET为PMOS晶体管，所述三极管Q2为PNP型三极管， 所述三极管Q3为NPN型三极管。