[发明专利]半导体元件及其制作方法

权利要求书

1.一种制作半导体元件的方法，包含：

提供一基底；

形成多个栅极结构于该基底上；

形成一层间介电层于该多个栅极结构周围；

形成一第一停止层于该多个栅极结构上；

形成一第二介电层于该第一停止层上；

形成一图案化硬掩模于该第二介电层上；

利用该图案化硬掩模来去除部分该第二介电层以形成一第三开口暴露出该层间介电层及该多个栅极结构中的一部分；以及

利用该图案化硬掩模去除部分该层间介电层以形成多个接触洞；

形成多个第一接触插塞于该多个接触洞中；

形成一第二停止层于该多个第一接触插塞上；

形成一第一介电层于该第二停止层上；

形成多个第一开口于该第一介电层中并暴露该第二停止层；

形成多个第二开口于该第一介电层及该第二停止层中并暴露第一停止层；以及

同时去除部分该第二停止层及部分该第一停止层以暴露出该多个栅极结构及该多个第一接触插塞，

其中该层间介电层的上表面与该第一停止层的上表面齐平。

2.如权利要求1所述的方法，其中该图案化硬掩模包含氮化钛。

3.如权利要求1所述的方法，其中该第一介电层及该第二介电层包含氧化硅。

4.如权利要求1所述的方法，还包含一鳍状结构设于该基底上，该鳍状结构位于该多个第一接触插塞正下方。

5.如权利要求1所述的方法，其中该第一停止层及该第二停止层包含氮化硅。

6.如权利要求1所述的方法，其中该多个栅极结构包含金属栅极。