[发明专利]一种半导体器件及其制造方法、电子装置有效
| 申请号： | 201410538619.8 | 申请日： | 2014-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN105575786B | 公开（公告）日： | 2018-10-23 |
| 发明（设计）人： | 曾以志 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 电子 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体器件的制造方法，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有多个鳍形有源区和位于所述鳍形有源区之间的隔离区；
在所述隔离区和所述鳍形有源区上沉积伪栅极层；
在所述伪栅极层上沉积掩膜层；
平坦化所述掩膜层；
透过所述掩膜层向所述伪栅极层进行离子注入并且退火，所述离子注入和所述退火步骤增大所述伪栅极层的移除速率；
移除所述掩膜层；以及
采用CMP工艺平坦化所述伪栅极层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述掩膜层为SiN层或氧化物层。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在平坦化所述掩膜层的步骤中，使得所述掩膜层与所述伪栅极层的顶部最高处齐平。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述隔离区包括浅沟槽隔离结构。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述伪栅极层为多晶硅层。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用干法刻蚀或湿法刻蚀工艺移除所述掩膜层。
7.一种采用权利要求1-6之一所述的方法制造的半导体器件。
8.一种电子装置，所述电子装置包括权利要求7所述的半导体器件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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