[发明专利]一种半导体器件的制作方法有效
| 申请号： | 201410537891.4 | 申请日： | 2014-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN105489548B | 公开（公告）日： | 2018-10-23 |
| 发明（设计）人： | 邓浩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化铝层 铜互连结构 半导体器件 层间介电层 覆盖层 衬底 半导体 电介质 氮气 高分子化合物 氨气处理 交替重复 器件提供 氮元素 电迁移 附着性 介电层 良品率 铝元素 顶面 制作 浸润 清洗 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体器件的制作方法，包括：
步骤一、提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成层间介电层和位于所述层间介电层中的铜互连结构，采用硅烷处理所述铜互连结构的顶面以形成硅化铜层；
步骤二、采用含铝元素和氮元素的高分子化合物浸润和清洗所述层间介电层和所述铜互连结构的顶面；
步骤三、进行氮气或氨气处理，以形成氮化铝层；
步骤四、交替重复所述步骤二和步骤三，直到所述氮化铝层的厚度达到预定值；
步骤五、在所述氮化铝层上形成电介质覆盖层。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤二之前，还包括使用氮气或者氨气处理所述铜互连结构顶面的步骤。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述含铝元素和氮元素的高分子化合物为三(二乙氨基)铝。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氮化铝层的厚度预定值为30～60埃。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氮化铝层中的硅含量自下而上逐渐减少。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在进行所述步骤四时，所述硅化铜层转变为CuAlSiN层。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述层间介电层和所述半导体衬底之间形成有刻蚀停止层。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述电介质覆盖层材料为氮化硅或者掺碳的氮化硅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
