[发明专利]一种提高薄膜太阳能电池转换效率的方法在审
| 申请号: | 201410537692.3 | 申请日: | 2014-10-10 |
| 公开(公告)号: | CN105047750A | 公开(公告)日: | 2015-11-11 |
| 发明(设计)人: | 汤安东;蒿俊波 | 申请(专利权)人: | 广东汉能薄膜太阳能有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;C23C16/40 |
| 代理公司: | 深圳市千纳专利代理有限公司 44218 | 代理人: | 童海霓;刘彦 |
| 地址: | 517003 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 提高 薄膜 太阳能电池 转换 效率 方法 | ||
1.一种提高薄膜太阳能电池转换效率的方法,所述的太阳能电池包括基板、背电极、P型光吸收层、N型缓冲层和窗口层,所述的背电极、P型光吸收层、N型缓冲层和窗口层依序沉积在基板上,其特征在于:所述的窗口层包括本征层和掺杂导电层,所述的本征层为本征氧化锌i-ZnO薄膜,所述的掺杂导电层为铝掺杂氧化锌ZnO∶Al薄膜或硼掺杂氧化锌ZnO∶B薄膜,所述的本征层和掺杂导电层均以二乙基锌或二甲基锌作为锌源采用低气压化学气相沉积法沉积成膜,所述的本征层和掺杂导电层依序沉积在N型缓冲层表面。
2.根据权利要求1所述的提高薄膜太阳能电池转换效率的方法,其特征在于:所述本征氧化锌i-ZnO薄膜的沉积气氛为二乙基锌或二甲基锌、纯氢气、水蒸气,沉积气体流量的流量比为二乙基锌或二甲基锌∶纯氢气∶水蒸气为800∶100∶1200~2000,沉积温度为170℃~220℃,沉积厚度为30~70nm。
3.根据权利要求1所述的提高薄膜太阳能电池转换效率的方法,其特征在于:所述硼掺杂氧化锌ZnO∶B薄膜的沉积温度为175℃-220℃,沉积气氛为二乙基锌或二甲基锌、掺杂有2%硼烷的氢气、纯氢气和水蒸气的混合气体。
4.根据权利要求1所述的提高薄膜太阳能电池转换效率的方法,其特征在于:所述铝掺杂氧化锌ZnO∶Al薄膜的沉积温度为175℃-220℃,沉积气氛为二乙基锌或二甲基锌、三甲基铝、纯氧气和水蒸气的混合气体。
5.根据权利要求3所述的提高薄膜太阳能电池转换效率的方法,其特征在于:所述硼掺杂氧化锌ZnO∶B薄膜沉积气体流量二乙基锌或二甲基锌∶掺杂有2%硼烷的氢气∶纯氢气∶水蒸气的比值为800∶100~250∶100∶1200~2000。
6.根据权利要求4所述的提高薄膜太阳能电池转换效率的方法,其特征在于:所述铝掺杂氧化锌ZnO∶Al薄膜沉积气体流量二乙基锌或二甲基锌∶三甲基铝∶纯氢气∶水蒸气的比值为800∶100~500∶1~10∶1200~2000。
7.根据权利要求3或4所述的提高薄膜太阳能电池转换效率的方法,其特征在于:所述的掺杂导电层沉积成膜前还包括镀制透明导电层处理工序,所述的透明导电层为铝掺杂氧化锌ZnO∶AL薄膜,所述的镀制透明导电层处理工序以掺杂有三氧化二铝的氧化锌作为固态靶材,采用磁控溅射法在本征层表面溅射形成透明导电层,所述磁控溅射的本底真空度为小于10-3Pa、溅射温度为200-350℃、溅射气压为10-1Pa~10Pa。
8.根据权利要求7所述的提高薄膜太阳能电池转换效率的方法,其特征在于:所述的P型光吸收层为铜铟镓硒层、铜铟硒层或铜铟硒硫层。
9.根据权利要求8所述的提高薄膜太阳能电池转换效率的方法,其特征在于:所述的N型缓冲层为硫化镉层。
10.根据权利要求9所述的提高薄膜太阳能电池转换效率的方法,其特征在于:所述的背电极为钼金属层和铬金属层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





