[发明专利]半导体封装件及其制法

说明书

技术领域

本发明关于一种半导体封装件及其制法，特别是指一种以导电柱 电性连接增层结构的半导体封装件及其制法。

背景技术

目前具有增层(build-up)结构或扇出(fan-out)结构的半导体封 装件中，常见于封装胶体内形成多个贯穿孔，并于该封装胶体上与该 些贯穿孔内形成线路层以电性连接增层结构的导电盲孔，但需对该些 贯穿孔与该些导电盲孔进行精准对位。

图1A至图1H为绘示现有技术的半导体封装件1及其制法的剖视 示意图。

如图1A所示，先提供第一承载板10，并设置具有多个焊垫111 及相对的主动面11a与被动面11b的晶片11于该第一承载板10上。

接着，形成具有相对的第一表面12a与第二表面12b的封装胶体 12于该第一承载板10上，以包覆该晶片11并外露出该晶片11的被动 面11b。

如图1B所示，设置第二承载板13于该晶片11的被动面11b上， 并将图1B的整体结构上下倒置，且移除该第一承载板10。

如图1C所示，形成增层结构14于该晶片11的主动面11a与该封 装胶体12的第一表面12a上。该增层结构14具有至少一介电层141、 多个形成于该介电层141内的导电盲孔142、及至少一形成于该介电层 141上的第一线路层143，且该第一线路层143具有多个电性接触垫 144。

接着，形成第一绝缘保护层15于该增层结构14上，并形成多个 凸块底下金属层151于该第一绝缘保护层15上以分别电性连接该些电 性接触垫144。

如图1D所示，形成具有剥离层161的第三承载板16于该第一绝 缘保护层15上。

如图1E所示，将图1D的整体结构上下倒置，并移除该第二承载 板13。

如图1F所示，藉由激光于该封装胶体12内形成多个分别精准对 位至该些导电盲孔142的端部122的贯穿孔121，且该些贯穿孔121 贯穿该封装胶体12以分别外露出该些导电盲孔142的端部122。

如图1G所示，形成晶种层(seedlayer)17于该晶片11的被动面 11b、该封装胶体12的第二表面12b及该些贯穿孔121的壁面上，并 形成第二线路层171于部分该晶种层17上以电性连接该些导电盲孔 142的端部122。之后，移除对应于该第二线路层171以外的晶种层17。

如图1H所示，形成第二绝缘保护层18于该晶片11的被动面11b 与该封装胶体12的第二表面12b上，该第二绝缘保护层18具有多个 开孔181以外露出该第二线路层171。之后，形成多个焊球19于该些 凸块底下金属层151上，藉此形成半导体封装件1。

上述现有技术的缺点在于：当欲形成图1F所示的贯穿孔121时， 因该增层结构14的导电盲孔142隐藏于该封装胶体12的第一表面12a 下方，使得该激光无法自该封装胶体12的第二表面12b精准对位至该 些导电盲孔142的端部122，以致该激光所形成的贯穿孔121易偏离该 些导电盲孔142的端部122而对位至该介电层141上，并易导致该些 贯穿孔121的孔径123大于该些导电盲孔142的端部122的截面积， 从而破坏该些导电盲孔142周围的介电层141。

同时，图1G的贯穿孔121内的晶种层17与导电盲孔142的端部 122的接触面积太小，以致该晶种层17上的第二线路层171与该些导 电盲孔142的端部122之间的导电能力不佳。此外，需增设图1D的第 三承载板16于该第一绝缘保护层15上，以致需增加该第三承载板16 的材料成本及制程，且该半导体封装件1的制程过于繁琐复杂而不利 于实作。

因此，如何克服上述现有技术的问题，实已成目前亟欲解决的课 题。

发明内容

本发明提供一种半导体封装件及其制法，无须精准对位，便可将 增层结构电性连接至导电柱。

本发明的半导体封装件包括：封装胶体，其具有相对的第一表面 与第二表面；半导体元件，其嵌埋于该封装胶体内并具有相对的主动 面与被动面，且该主动面外露于该封装胶体的第一表面；多个导电柱， 其嵌埋于该封装胶体内，且该导电柱具有相对的第一端部与第二端部 以分别外露于该封装胶体的第一表面及第二表面；以及增层结构，其 形成于该封装胶体的第一表面上，并电性连接该半导体元件及该些导 电柱的第一端部。