[发明专利]半导体封装件及其制法在审
| 申请号: | 201410537603.5 | 申请日: | 2014-10-13 |
| 公开(公告)号: | CN105575911A | 公开(公告)日: | 2016-05-11 |
| 发明(设计)人: | 许习彰;戴瑞丰;吕长伦;陈仕卿 | 申请(专利权)人: | 矽品精密工业股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L23/02 | 分类号: | H01L23/02;H01L23/485;H01L21/60;H01L21/56 |
| 代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人: | 程伟;王锦阳 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 封装 及其 制法 | ||
1.一种半导体封装件,其包括:
封装胶体,其具有相对的第一表面与第二表面;
半导体元件,其嵌埋于该封装胶体内并具有相对的主动面与被动 面,且该主动面外露于该封装胶体的第一表面;
多个导电柱,其嵌埋于该封装胶体内,且该导电柱具有相对的第 一端部与第二端部以分别外露于该封装胶体的第一表面及第二表面; 以及
增层结构,其形成于该封装胶体的第一表面上,并电性连接该半 导体元件及该些导电柱的第一端部。
2.如权利要求1所述的半导体封装件,其特征为,该导电柱为圆 柱体、椭圆柱体、方形柱体、多边形柱体或球形柱体。
3.如权利要求1所述的半导体封装件,其特征为,该导电柱的材 质为金、银、铜、锡、镍或其任意组合的合金。
4.如权利要求1所述的半导体封装件,其特征为,该半导体封装 件还包括第一线路层,其形成于该封装胶体的第二表面上以电性连接 该些导电柱的第二端部。
5.如权利要求1所述的半导体封装件,其特征为,该半导体封装 件还包括第一绝缘保护层,其形成于该半导体元件的被动面与该封装 胶体的第二表面上以包覆该第一线路层,且该第一绝缘保护层具有多 个第一开孔以外露出部分该第一线路层。
6.如权利要求1所述的半导体封装件,其特征为,该增层结构具 有至少一介电层、多个形成于该介电层内的导电盲孔、及至少一形成 于该介电层上并电性连接该些导电盲孔的第二线路层,且该第二线路 层具有多个电性接触垫。
7.如权利要求6所述的半导体封装件,其特征为,该半导体封装 件还包括第二绝缘保护层,其形成于最外层的该介电层与该第二线路 层上,且该第二绝缘保护层具有多个第二开孔以外露出最外层的该第 二线路层的电性接触垫。
8.如权利要求7所述的半导体封装件,其特征为,该半导体封装 件还包括多个凸块底下金属层与多个焊球,该些凸块底下金属层分别 形成于该些第二开孔所外露的电性接触垫上,且该些焊球分别形成于 该些凸块底下金属层上。
9.一种半导体封装件的制法,其包括:
嵌埋半导体元件及多个导电柱于一具有相对的第一表面与第二表 面的封装胶体内,其中,该半导体元件具有相对的主动面与被动面, 且该主动面外露于该封装胶体的第一表面,该导电柱具有相对的第一 端部与第二端部,并令该些导电柱的第一端部外露于该封装胶体的第 一表面;以及
形成增层结构于该封装胶体的第一表面上,且该增层结构电性连 接该半导体元件及该些导电柱的第一端部。
10.如权利要求9所述的半导体封装件的制法,其特征为,该导电 柱为圆柱体、椭圆柱体、方形柱体、多边形柱体或球形柱体。
11.如权利要求9所述的半导体封装件的制法,其特征为,形成该 增层结构之前的制程还包括:
提供第一承载板且其上设置有该半导体元件,该主动面面向该第 一承载板;
设置该些导电柱于该第一承载板上,该第一端部面向该第一承载 板;
形成该封装胶体于该第一承载板上以嵌埋该半导体元件及该些导 电柱于该封装胶体内,并自该封装胶体的第二表面外露出该些导电柱 的第二端部;以及
移除该第一承载板,以自该封装胶体的第一表面外露出该半导体 元件的主动面及该些导电柱的第一端部。
12.如权利要求11所述的半导体封装件的制法,其特征为,该第 一承载板具有剥离层,且该半导体元件、导电柱与封装胶体位于该剥 离层上。
13.如权利要求11所述的半导体封装件的制法,其特征为,该制 法还包括自该第二表面薄化该封装胶体与该些导电柱以外露出该半导 体元件的被动面。
14.如权利要求11所述的半导体封装件的制法,其特征为,在移 除该第一承载板之前,先设置第二承载板于该封装胶体的第二表面上。
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