[发明专利]固体摄像装置及固体摄像装置的制造方法

说明书

技术领域

本发明的实施方式涉及固体摄像装置及固体摄像装置的制造方法。

背景技术

以往，数字照相机或带有照相机功能的便携终端等的电子设备具备具有固体摄像装置的照相机模组。固体摄像装置具备对应于摄像图像的各像素而以矩阵状2维排列的多个光电变换元件。各光电变换元件将入射光向与受光量对应的量的电荷进行光电变换，作为表示各像素的亮度的信号电荷储存。

此外，在各光电变换元件之间，设有将光电变换元件彼此电气地元件分离的元件分离区域。该元件分离区域例如通过在形成有多个各光电变换元件的半导体层上形成将各光电变换元件以俯视矩形状包围的格状的沟槽(槽)、向沟槽的内部填入绝缘材料等而形成。

元件分离用的沟槽一般由RIE(Reactive Ion Etching，反应离子刻蚀)形成。但是，有时在沟槽的表面上通过RIE而受到损伤、发生结晶缺陷，并发生不饱和键(dangling bond)。起因于不饱和键而产生的电子与向光电变换元件入射的光的有无不相关地发生，所以作为所谓的暗电流而从光电变换元件流出，在摄像图像中成为白点呈现，成为画质劣化的原因。

发明内容

本发明的目的是提供一种能够抑制暗电流的发生的固体摄像装置及固体摄像装置的制造方法。

本发明的一实施方式的固体摄像装置的特征在于，具备：多个光电变换元件，具有第1导电型的半导体层、和以矩阵状2维排列在上述半导体层上的第2导电型的半导体区域而形成，将入射光光电变换为电荷而储存；沟槽，形成在相邻的上述光电变换元件间，从上述第1导电型的半导体层的表面朝向深度方向而形成；以及第1导电型的半导体区域，包围上述沟槽的外周面而设置，含有活性化的第1导电型的杂质。

此外，别的实施方式的固体摄像装置的制造方法的特征在于，包括：通过在第1导电型的半导体层上将第2导电型的半导体区域以矩阵状2维排列而形成多个光电变换元件的工序；在相邻的上述光电变换元件间、从上述第1导电型的半导体层的表面朝向深度方向形成沟槽的工序；以及以包围上述沟槽的外周面的方式将含有活性化的第1导电型的杂质的第1导电型的半导体区域形成的工序。

根据上述结构的固体摄像装置及固体摄像装置的制造方法，能够抑制暗电流的发生。

附图说明

图1是表示具备有关实施方式的背面照射型固体摄像装置的数字照相机的概略结构的块图。

图2是表示有关实施方式的背面照射型固体摄像装置的概略结构的块图。

图3是表示有关实施方式的图像传感器的一部分的剖视的说明图。

图4是表示有关实施方式的固体摄像装置的制造工序的截面示意图。

图5是表示有关实施方式的固体摄像装置的制造工序的截面示意图。

图6是表示有关实施方式的固体摄像装置的制造工序的截面示意图。

图7是在表面照射型的图像传感器中采用了有关实施方式的光电变换元件元件分离区域的结构的情况下的说明图。

具体实施方式

以下，参照附图对有关实施方式的固体摄像装置及固体摄像装置的制造方法详细地说明。另外，并不通过该实施方式限定本发明。

图1是表示具备有关实施方式的固体摄像装置14的数字照相机1的概略结构图的块图。如图1所示，数字照相机1具备照相机模组11和后段处理部12。

照相机模组11具备摄像光学系统13和固体摄像装置14。摄像光学系统13将来自被摄体的光取入，使被摄体像成像。固体摄像装置14对由摄像光学系统13成像的被摄体像进行摄像，将通过摄像得到的图像信号向后段处理部12输出。该照相机模组11除了数字照相机1以外，还被应用到例如带有照相机的便携终端等的电子设备中。

后段处理部12具备ISP(Image Signal Processor，图像信号处理器)15、存储部16和显示部17。ISP15进行从固体摄像装置14输入的图像信号的信号处理。该ISP15例如进行噪声除去处理、缺陷像素修正处理、分辨率变换处理等的高画质化处理。

并且，ISP15将信号处理后的图像信号向存储部16、显示部17及照相机模组11内的固体摄像装置14具备的后述的信号处理电路21(参照图2)输出。从ISP15向照相机模组11反馈的图像信号被用于固体摄像装置14的调整及控制。