[发明专利]固体摄像装置及固体摄像装置的制造方法无效

专利信息
申请号: 201410532164.9 申请日: 2014-10-10
公开(公告)号: CN104576671A 公开(公告)日: 2015-04-29
发明(设计)人: 江田健太郎;吉野健一;奥城慎太郎;福水裕之;南孝明;用正武;芦立浩明 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 徐殿军
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 固体 摄像 装置 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种固体摄像装置,其特征在于,具备:

多个光电变换元件,具有第1导电型的半导体层、和以矩阵状2维排列在上述半导体层上的第2导电型的半导体区域,将入射光光电变换为电荷而储存;

沟槽,形成在相邻的上述光电变换元件间,从上述第1导电型的半导体层的表面朝向深度方向而形成;以及

第1导电型的半导体区域,包围上述沟槽的外周面而设置,含有活性化的第1导电型的杂质。

2.如权利要求1所述的固体摄像装置,其特征在于,

上述第1导电型的半导体区域内的杂质通过激光退火处理而进行活性化。

3.如权利要求1或2所述的固体摄像装置,其特征在于,

上述第1导电型的半导体区域的杂质浓度比上述第1导电型的半导体层高。

4.一种固体摄像装置的制造方法,其特征在于,包括:

通过在第1导电型的半导体层上将第2导电型的半导体区域以矩阵状2维排列而形成多个光电变换元件的工序;

在相邻的上述光电变换元件间、从上述第1导电型的半导体层的表面朝向深度方向形成沟槽的工序;以及

以包围上述沟槽的外周面的方式形成第1导电型的半导体区域的工序,该第1导电型的半导体区域含有活性化的第1导电型的杂质。

5.如权利要求4所述的固体摄像装置的制造方法,其特征在于,

包括以将上述沟槽的外周面包围的方式注入第1导电型的杂质、并通过将该杂质利用激光退火处理进行活性化而形成上述第1导电型的半导体区域的工序。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝,未经株式会社东芝许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410532164.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top