[发明专利]固体摄像装置及固体摄像装置的制造方法无效
申请号: | 201410532164.9 | 申请日: | 2014-10-10 |
公开(公告)号: | CN104576671A | 公开(公告)日: | 2015-04-29 |
发明(设计)人: | 江田健太郎;吉野健一;奥城慎太郎;福水裕之;南孝明;用正武;芦立浩明 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 徐殿军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固体 摄像 装置 制造 方法 | ||
1.一种固体摄像装置,其特征在于,具备:
多个光电变换元件,具有第1导电型的半导体层、和以矩阵状2维排列在上述半导体层上的第2导电型的半导体区域,将入射光光电变换为电荷而储存;
沟槽,形成在相邻的上述光电变换元件间,从上述第1导电型的半导体层的表面朝向深度方向而形成;以及
第1导电型的半导体区域,包围上述沟槽的外周面而设置,含有活性化的第1导电型的杂质。
2.如权利要求1所述的固体摄像装置,其特征在于,
上述第1导电型的半导体区域内的杂质通过激光退火处理而进行活性化。
3.如权利要求1或2所述的固体摄像装置,其特征在于,
上述第1导电型的半导体区域的杂质浓度比上述第1导电型的半导体层高。
4.一种固体摄像装置的制造方法,其特征在于,包括:
通过在第1导电型的半导体层上将第2导电型的半导体区域以矩阵状2维排列而形成多个光电变换元件的工序;
在相邻的上述光电变换元件间、从上述第1导电型的半导体层的表面朝向深度方向形成沟槽的工序;以及
以包围上述沟槽的外周面的方式形成第1导电型的半导体区域的工序,该第1导电型的半导体区域含有活性化的第1导电型的杂质。
5.如权利要求4所述的固体摄像装置的制造方法,其特征在于,
包括以将上述沟槽的外周面包围的方式注入第1导电型的杂质、并通过将该杂质利用激光退火处理进行活性化而形成上述第1导电型的半导体区域的工序。
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H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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