[发明专利]一种用于光伏硅片的真空吸笔无效
申请号: | 201410532028.X | 申请日: | 2014-10-11 |
公开(公告)号: | CN104319312A | 公开(公告)日: | 2015-01-28 |
发明(设计)人: | 李进龙 | 申请(专利权)人: | 昆山诃德新能源科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 215300 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 硅片 真空 | ||
技术领域
本发明涉及一种光伏电池硅片吸取工具,特别涉及一种用于光伏硅片的真空吸笔,属晶硅太阳能光伏发电领域。
背景技术
在太阳能光伏硅电池片的生产、测试或晶硅太阳能光伏组件的制作过程中,需要将太阳能光伏硅电池片通过吸笔吸附并移至另一置放位置。
目前所使用的太阳能硅电池片真空吸笔,其包括气体通道管部以及与气体通道管部的一端连接的吸盘,其中气体通道管部包括手持部以及位于手持部上的气体通孔,吸盘的中部表面具有高度差以形成透气缝隙的凹陷部。当吸取硅片时,用于堵住所述手持部的气体通孔,将吸盘靠近硅片的侧面即可将硅片吸取并移至另一置放位置,松开堵住气体通孔的手指,硅片即可从吸盘松开。其中,凹陷为一整体的圆形或正方形,常常会由于气体在凹陷中的气压不均匀(靠近凹陷和气体通道管相连附近的相对较大)而直接作用在硅电池片上,导致硅电池片的破损,从而降低生产良率导致成本的增加。
发明内容
本发明提供了一种光伏电池硅片的真壁吸笔,该真雪吸笔所要解决的技术问题是克服现有技术的不足,实现对硅电池片表面均匀压力的有效控制。
为了实现上述技术目的,本发明采取的技术方案是:一种用于光伏硅片的真空吸笔,特征是,它包括气体进口通道管、子持部、气体通道管和吸盘,所述于持部一端连接气体进口通道管,另一端连接气体通道管,气体通道管的另一端连接吸盘;所述吸盘上的凹陷为阵列排布。
所述吸盘材料为|到静电、不挂尘的软膜材料,所述吸盘的形状为正方形。
所述吸盘上有一个凹陷阵列,所述凹陷阵列和气体通道管相通,所述凹陷阵列和吸盘表面具有高度差,形成透气缝隙,所述凹陷阵列的长宽尺寸比吸盘的长宽尺寸小
3~10mm 的圆形或正方形。
所述气体通道管是吸盘和手持部中气体的流通通道,其形状为多弯折线的。
所述手持部壁上有一个通气孔。
本发明的优点和积极效果是:1.该吸盘上有一个凹陷阵列,可以有效地控制气体的冲击力,从而将气压均匀地作用在硅电池表面上; 3. 该吸笔可以根据不同尺寸的硅电池
片制作成各种不同的吸盘,应用于各种不同尺寸的硅电池片,使用时只需更换吸盘。
附图说明
图1 为一种光伏电池硅片的真雪吸笔的主视图。
图2 为一种用于光伏硅片的真空吸笔的侧面图。
其中: 1 、气体进口通道管, 2 、通气孔, 3 、手持部, 4 、气体通道管, 5 、吸盘, 6 、凹陷阵列。
具体实施例
下面结合附图对本发明作进一步的说明。
一种用于光伏硅片的真空吸笔,如图1~2 所示,手持部3 一端连接气体进口通道管
1,另一端连接气体通道管4 ,气体通道管4 的另一端连接吸盘5 ,手持部3 上有一个通气孔2 ,吸盘5 上有一个凹陷阵列6 ,从而形成气体在这些部件中相遇。当吸取硅电池片时,用于堵住手持部3 上的通气孔2 ,将吸盘5 靠近并完全硅电池片主合,即可将硅电池片吸取并移至另一位置放置,松开堵住通气孔2 的手指,硅电池片即可从吸盘5 上脱离下来并固定在置放位置上。
本发明用于吸取硅电池片的真空吸笔,根据不同尺寸的硅电池片制作成各种不同的吸盘,应用于各种不同尺寸的硅电池片,使用时只需更换吸盘,就可以有效地将凹陷阵列6 内的气压非常均匀地作用在所吸硅电池片上,将硅电池片吸附到吸盘5 上,避免硅电池片受不均匀吸力而损伤;吸盘5 的材料使用防静电和不挂尘的软膜制成,避免了在硅电池片表面产生静电,污渍和微尘;气体通道管4 为多弯折线的,可以有效地减缓气体的冲击力,从而大大减小直接作用在硅电池表面上的冲击力。
本发明中,作为变行实施例,气体进口通道管和手持部可以为一整体,气体进口通道管、手持部和气体通道管也可以为一整体,吸盘和气体通道管的连接可以为螺丝固定、直接套上的方式,气体通道管可以为弯折或螺旋状弯折,气体通道管也可以在底部做为U 形形状来减缓气体的冲击力,故本发明的权利保护范围以权利要求书限定的范围为准。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的