[发明专利]功率开关的热观测器以及过载保护

权利要求书

1.一种半导体电路装置，包括：

具有至少一个有源区（Ch_n,T1）的功率半导体器件；

嵌入在功率半导体器件中的第一温度传感器（HS）；

其中第一温度传感器（HS）被放置在至少一个有源区（Ch_n,T1）内或者靠近该至少一个有源区（Ch_n,T1）；以及

嵌入在功率半导体器件中的第二温度传感器（CS）；

包括第一比较器（C1）和第二比较器（C2）的至少两个比较器（C1，C2）；

其中第一比较器（C1）被配置成比较在第一温度传感器（HS）上产生的电压降与内部电压参考；并且第二比较器（C2）被配置成比较第一温度传感器（HS）上产生的电压降与在第二温度传感器（CS）上产生的电压降；

其中该第二温度传感器（CS）被放置远离该至少一个有源区（Ch_n,T1），比第一温度传感器（HS）更进一步远离该至少一个有源区（Ch_n，T1）。

2.根据权利要求1所述的半导体电路装置，其中

该第一温度传感器（HS）被放置在功率半导体器件的操作期间的最高温度所出现的位置上；以及

该第二温度传感器（CS）被放置在功率半导体器件的操作期间的最低温度所出现的位置上。

3.根据权利要求1或2所述的半导体电路装置，进一步包括：

控制逻辑电路，配置成评估该至少两个比较器（C1，C2）的结果和/或第一和第二温度传感器（HS，CS）的测量信号。

4.根据权利要求3所述的半导体电路装置，其中该控制逻辑电路配置成基于该至少两个比较器（C1，C2）的结果和/或基于第一和第二温度传感器（HS，CS）的测量信号产生至少一个报警信号或者标志（△T_flag，OT_flag）。

5.根据权利要求3所述的半导体电路装置，其中该控制逻辑电路配置成执行下面的一种或多种：

-比较由第一和/或第二温度传感器（HS,CS）测量的温度与预定温度阈值（△T_threshold）；

-检测第一温度传感器（HS）和第二温度传感器（CS）之间的温度差；

-检测该至少一个有源区（Ch_n,T1）的过温情形；

-检测该至少一个有源区（Ch_n，T1）的过电流情形；

-检测功率半导体器件的短路情形；

-切断该至少一个有源区（Ch_n,T1）和/或功率半导体器件的操作；

-启动该至少一个有源区（Ch_n，T1）和/或功率半导体器件的操作重启；

-启动该至少一个有源区（Ch_n，T1）和/或功率半导体器件的重复操作重启；

-对该至少一个有源区（Ch_n，T1）和/或功率半导体器件的操作重启次数进行计数；

-限制该至少一个有源区（Ch_n，T1）和/或功率半导体器件的操作重启次数；

-在该至少一个有源区（Ch_n,T1）和/或功率半导体器件的操作重启之前设置第一等待时间（Trestart_△T）；

-在该至少一个有源区（Ch_n，T1）和/或功率半导体器件的重复操作重启之前设置第二等待时间（Twait）；

-启动第一和第二温度传感器（HS，CS）的测量；

-启动第一和第二温度传感器（HS，CS）的重复测量；

-启动第一和第二温度传感器（HS,CS）之间温度差的重复测量；

-在由于至少一个有源区（Ch_n,T1）和/或功率半导体器件中的过电流检测所导致的切断之后的预定时间段之后启动第一和第二温度传感器（HS，CS）的重复测量；

-对第一和第二温度传感器（HS，CS）的测量次数进行计数；

-限制第一和第二温度传感器（HS，CS）的测量次数；

-在第一和第二温度传感器（HS，CS）的重复测量之前设置第三等待时间（Tcheck_△T）;

-在功率半导体器件的重复操作重启之前设置第四等待时间；

-在第一温度传感器（HS）的测量和第二温度传感器（CS）的测量之间设置第五等待时间；

-在功率半导体器件内执行退磁阶段；

-改变或调节任何等待时间和/或阈值。