[发明专利]有机发光显示装置有效
申请号: | 201410521258.6 | 申请日: | 2014-09-30 |
公开(公告)号: | CN104518001B | 公开(公告)日: | 2018-09-07 |
发明(设计)人: | 朴桄模;沈钟植;朴孝镇 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 吕俊刚;刘久亮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 显示装置 | ||
有机发光显示装置。公开了一种有机发光显示装置。该有机发光显示装置包括:显示板,该显示板包括发射至少三种颜色的光的子像素;和驱动器,该驱动器向所述显示板提供驱动信号,其中,发射所述至少三种颜色的光的所述子像素中的每个都包括发射其自身颜色的开口区和附加地发射和其自身颜色相同颜色或不同颜色的发光参与区。
技术领域
本发明的实施方式涉及有机发光显示装置。
背景技术
用于有机发光显示装置的有机电致发光部件是自发光部件,该自发光部件具有形成在设置在基板上的两个电极之间的发光层。该有机发光显示装置根据发射光的方向,可以分类成顶发射型、底发射型以及双发射型。
在有机发光显示装置中,当将扫描信号、数据信号以及电力提供给以矩阵形式设置的多个子像素时,所选择的子像素可以发射光以显示图像。
该有机发光显示装置的显示板上的每一个子像素都包括:晶体管单元,该晶体管单元包括开关晶体管、驱动晶体管和电容器;以及有机发光二极管(OLED),该有机发光二极管包括连接至驱动晶体管的下电极、有机发光层和上电极。
该有机发光二极管的有机发光层对应于发射光的层。从有机发光二极管发射的光通过不被装置布线或其它特征部阻挡的开口区发射。也就是说,每个子像素的孔径比依赖于限定开口区的面积。
然而,被晶体管单元占据的区域比被有机发光二极管占据的区域宽。因此,非开口区必需占据比开口区宽的区域。例如,对于子像素被构造成底发射型的情况来说,定位晶体管单元的非开口区不可避免地覆盖有电极、导线等。结果,在相关技术中,定位晶体管单元的非开口区被覆盖。
对于在显示板以高分辨率构造时或者在在其它子像素中应当设置补偿电路时的情况来说,如上所述的问题可以更加难于改进。因此,对于根据相关技术的有机发光显示装置来说,需要一种能够延伸发射从有机发光层发射的光的区域以实现高分辨率的方法。
发明内容
本公开的一个方面提供了一种有机发光显示装置,该有机发光显示装置包括:显示板,该显示板包括发射至少三种颜色的光的子像素;和驱动器,该驱动器向所述显示板提供驱动信号,其中,发射至少三种颜色的光的所述子像素中的每个都包括发射其自身颜色的开口区和附加地发射和其自身颜色相同颜色或不同颜色的发光参与区。
附图说明
附图被包括进来以提供对本发明的进一步理解,并且被并入并构成本说明书的一部分,例示了本发明的实施方式,并与本描述一起用于说明本发明的原理。在图中:
图1是示意性地例示根据本发明的第一示例性实施方式的有机发光显示装置的框图;
图2是图1所例示的子像素的图;
图3的(a)是根据相关技术的子像素的示意性平面图,并且图3的(b)是根据本发明第一实施方式的子像素的示意性平面图;
图4是图3的(b)的沿线A1-A2截取的区域的截面图;
图5是根据本发明第一实施方式的子像素的示意性平面布局图;
图6是图5的沿线B1-B2截取的区域的截面图;
图7的(a)是根据相关技术的子像素的示意性平面图,并且图7的(b)是根据本发明第二实施方式的子像素的示意性平面构造图;
图8是图7的(b)的沿线C1-C2截取的区域的截面图;
图9是根据本发明第二实施方式的子像素的示意性平面布局图;
图10是图9的沿线D1-D2截取的区域的截面图;
图11是根据本发明第三示例性实施方式的子像素的示意性平面布局图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的