[发明专利]有机发光显示装置有效
| 申请号: | 201410521258.6 | 申请日: | 2014-09-30 |
| 公开(公告)号: | CN104518001B | 公开(公告)日: | 2018-09-07 |
| 发明(设计)人: | 朴桄模;沈钟植;朴孝镇 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 吕俊刚;刘久亮 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 有机 发光 显示装置 | ||
1.一种有机发光显示装置,该有机发光显示装置包括:
显示板,该显示板包括发射至少三种颜色的光的子像素;和
驱动器,该驱动器向所述显示板提供驱动信号,
其中,发射至少三种颜色的光的所述子像素中的每个都包括发射其自身颜色的开口区和附加地发射和其自身颜色相同颜色或不同颜色的光的发光参与区,
其中,所述发光参与区中的至少一个发光参与区通过该发光参与区中包括的虚设晶体管单元的操作发光,并且
其中,所述虚设晶体管单元共享被发射所述至少三种颜色的光的所述子像素中的一个子像素的所述晶体管单元所占据的区域。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,所述发光参与区对应于其中形成发射所述至少三种颜色的光的所述子像素的晶体管单元的区域。
3.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,所述发光参与区中的至少一个发光参与区通过该发光参与区中包括的虚设晶体管单元的操作发射白光。
4.根据权利要求2所述的有机发光显示装置,其中,发射至少三种颜色的光的所述子像素是RGB子像素,所述RGB子像素包括RGB滤色器,其中,所述发光参与区包括RGB虚设滤色器,以用与所述RGB子像素的所述RGB滤色器的颜色相同的颜色来转换发射的光。
5.根据权利要求2所述的有机发光显示装置,其中,发射所述至少三种颜色的光的所述子像素包括:
下基板,该下基板包括所述开口区和所述发光参与区;
栅极电极和金属电极,该栅极电极和金属电极形成在所述发光参与区的所述下基板上;
第一绝缘层,该第一绝缘层形成在所述下基板上并且覆盖所述栅极电极和所述金属电极;
半导体层,该半导体层形成在所述发光参与区的所述第一绝缘层上并且设置在和所述栅极电极相对应的区域处;
第一电极和第二电极,该第一电极和该第二电极形成在所述第一绝缘层上并且与所述半导体层的一面和另一面接触;
保护层,该保护层形成在所述第一绝缘层上并且覆盖所述第一电极和所述第二电极;
滤色器,该滤色器形成在所述开口区的所述保护层上;
第二绝缘层,该第二绝缘层形成在所述保护层上并且覆盖所述滤色器;
接触电极,该接触电极形成在所述发光参与区的所述第二绝缘层上并且将所述第二电极电连接至所述金属电极;
第三绝缘层,该第三绝缘层形成在所述第二绝缘层上并且覆盖所述接触电极;
下电极,该下电极形成在所述第三绝缘层上,该下电极包括所述开口区的下电极和所述发光参与区的下电极,其中,所述开口区的所述下电极电连接至所述第一电极;
堤层,该堤层形成在所述下电极上,并且露出所述开口区的所述下电极的一部分和所述发光参与区的所述下电极的一部分;
有机发光层,该有机发光层形成在所述堤层上,并且覆盖所述开口区的所述下电极的所述部分和所述发光参与区的所述下电极的所述部分;以及
上电极,该上电极覆盖所述有机发光层。
6.根据权利要求5所述的有机发光显示装置,其中,发射所述至少三种颜色的光的所述子像素还包括虚设滤色器,该虚设滤色器形成在所述发光参与区的所述保护层上。
7.根据权利要求5所述的有机发光显示装置,其中,通过使所述开口区的所述下电极和所述发光参与区的所述下电极绝缘并被露出对所述堤层构图。
8.根据权利要求5所述的有机发光显示装置,其中,发射所述至少三种颜色的光的所述子像素的所述开口区和所述发光参与区彼此隔开。
9.根据权利要求2所述的有机发光显示装置,其中,发射所述至少三种颜色的光的所述子像素依赖于所述发光参与区的发射颜色以I形状、L形状或T形状中的任一种来发射一种颜色的光。
10.根据权利要求2所述的有机发光显示装置,其中,发射所述至少三种颜色的光的所述子像素中的任一个子像素具有最大发光面积,并且剩余子像素具有相同或不同的发光面积。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





