[发明专利]一种MOS静电保护结构及保护方法

权利要求书

1.一种MOS静电保护结构，其特征在于，所述MOS静电保护结构至少包括在漏极区中制作的重掺杂反型区，所述重掺杂反型区与所述漏极区的掺杂类型相反。

2.根据权利要求1所述的MOS静电保护结构，其特征在于：所述重掺杂反型区的掺杂剂量在1E15atoms/cm³以上。

3.根据权利要求1所述的MOS静电保护结构，其特征在于：所述重掺杂反型区的深度小于漏极区的深度。

4.根据权利要求3所述的MOS静电保护结构，其特征在于：所述重掺杂反型区的深度范围为0.1～0.25μm，所述漏极区的深度范围为0.4～3μm。

5.根据权利要求1所述的MOS静电保护结构，其特征在于：所述MOS静电保护结构包括：

第一导电类型衬底；结合于所述第一导电类型衬底表面的栅极结构，所述栅极结构包括栅介质层和形成于所述栅介质层表面的栅极；

所述栅极结构两侧的衬底中分别形成有第二导电类型的源极区和漏极区，由所述源极区和漏极区分别引出源电极和漏电极。

6.根据权利要求5所述的MOS静电保护结构，其特征在于：所述衬底为第一导电类型轻掺杂，所述源极区为第二导电类型的重掺杂。

7.根据权利要求1或5所述的MOS静电保护结构，其特征在于：所述漏极区包括第二导电类型轻掺杂漏极区和形成于所述第二导电类型轻掺杂漏极区中一端的第二导电类型重掺杂漏极区，所述重掺杂反型区形成于栅极结构和第二导电类型重掺杂漏极区之间的第二导电类型轻掺杂漏极区中，所述重掺杂反型区为第一导电类型重掺杂区。

8.根据权利要求5所述的MOS静电保护结构，其特征在于：所述第一导电类型为P型，第二导电类型为N型，或者第一导电类型为N型，第二导电类型为P型。

9.一种利用如权利要求1～8任一项所述的MOS静电保护结构进行静电保护的方法，其特征在于，通过漏极区中的重掺杂反型区，使漏极区电阻长度增加，从而增大漏极区电阻值，提高静电保护能力。

10.根据权利要求9所述的MOS静电保护的方法，其特征在于：所述静电保护结构为NMOS，所述重掺杂反型区为P型重掺杂区，所述栅极、源电极、衬底均接地，所述漏电极为静电信号输入端。

11.根据权利要求9所述的MOS静电保护的方法，其特征在于：所述静电保护结构为PMOS，所述重掺杂反型区为N型重掺杂区，所述栅极、源电极、衬底均接高电平，所述漏电极为静电信号输入端。